[发明专利]一种超势垒自偏置整流二极管在审
申请号: | 201310537560.6 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104600126A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 魏峰;唐红祥 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/40 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超势垒 偏置 整流二极管 | ||
1.一种超势垒自偏置整流二极管,其特征在于,包括:
垂直双扩散金属氧化物半导体器件和多晶电阻,其中,所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极与源极通过所述多晶电阻连接。
2.根据权利要求1所述的超势垒自偏置整流二极管,其特征在于,所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的沟道掺杂浓度的量级为大于等于1013/cm3。
3.根据权利要求1所述的超势垒自偏置整流二极管,其特征在于,所述超势垒自偏置整流二极管还包括第一极和第二极,其中,所述第一极与所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极连接,所述第二极与所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的超势垒自偏置整流二极管,其特征在于,所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件为N型垂直双扩散金属氧化物半导体器件,所述第一极为所述超势垒自偏置整流二极管的阳极,所述第二极为所述超势垒自偏置整流二极管的阴极。
5.根据权利要求3所述的超势垒自偏置整流二极管,其特征在于,所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件为P型垂直双扩散金属氧化物半导体器件,所述第一极为所述超势垒自偏置整流二极管的阴极,所述第二极为所述超势垒自偏置整流二极管的阳极。
6.根据权利要求1所述的超势垒自偏置整流二极管,其特征在于,所述多晶电阻为多晶硅电阻。
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