[发明专利]一种超势垒自偏置整流二极管

说明书

技术领域

本发明涉及本发明涉及半导体技术领域，具体涉及功率整流器件技术领域，尤其涉及一种超势垒自偏置整流二极管。

背景技术

超势垒肖特基整流二极管（Super Barrier Rectifier，简称SBR）是目前比较常用的整流二级管，并且又以N型垂直双扩散金属氧化物半导体（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor，简称VDMOS）器件形成的超势垒肖特基整流二极管为主。图1是根据现有技术的由N型垂直双扩散金属氧化物半导体器件形成的超势垒肖特基整流二极管的原理电路图。参见图1，N型VDMOS器件101的栅极102与源极103短接，N型VDMOS器件101的寄生二极管105将N型VDMOS器件101的源极103与漏极104连接，并且，由N型VDMOS器件101的栅极102引出超势垒肖特基整流二极管的阳极PP，由N型VDMOS器件101的漏极104的引出超势垒肖特基整流二极管的阴极NP。

由于现有技术中形成超势垒肖特基整流二极管的N型VDMOS器件的栅极102与源极103直接短接，所以栅极102对VDMOS器件的沟道的导通能力控制有限，从而导致超势垒肖特基整流二极管的反向漏电相对较大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种超势垒自偏置整流二极管，来解决现有技术的超势垒肖特基整流二极管的反向漏电较大的技术问题。

本发明实施例提供了一种超势垒自偏置整流二极管，包括：

垂直双扩散金属氧化物半导体器件和多晶电阻，其中，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极与源极通过所述多晶电阻连接。

进一步地，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的沟道掺杂浓度的量级为大于等于10¹³/cm³。

进一步地，所述超势垒自偏置整流二极管还包括第一极和第二极，其中，所述第一极与所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的栅极连接，所述第二极与所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件的漏极连接。

进一步地，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件为N型垂直双扩散金属氧化物半导体器件，所述第一极为所述超势垒自偏置整流二极管的阳极，所述第二极为所述超势垒自偏置整流二极管的阴极。

进一步地，所述垂直双扩散金属氧化物半导体器件为P型垂直双扩散金属氧化物半导体器件，所述第一极为所述超势垒自偏置整流二极管的阴极，所述第二极为所述超势垒自偏置整流二极管的阳极。

进一步地，所述多晶电阻为多晶硅电阻。

本发明实施例提出的超势垒自偏置整流二极管，通过将形成超势垒自偏置整流二极管的VDMOS器件的栅极与源极经多晶电阻连接，利用多晶电阻的负反馈作用，增强VDMOS器件的栅极对沟道导通能力的控制，从而实现较小的反向漏电。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是根据现有技术的由N型垂直双扩散金属氧化物半导体器件形成的超势垒肖特基整流二极管的原理电路图；

图2是根据本发明第一实施例的由N型垂直双扩散金属氧化物半导体器件形成的超势垒自偏置整流二极管的原理电路图；

图3是根据本发明第一实施例的由N型垂直双扩散金属氧化物半导体器件形成的超势垒自偏置整流二极管的版图示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

目前，在VDMOS器件中，应用最广泛的属于N型VDMOS器件。此处就以N型VDMOS器件形成的超势垒自偏置整流二极管作为具体实施例，来解释本发明。需要说明的是，本发明不限于N型VDMOS器件形成的超势垒自偏置整流二极管，对于P型VDMOS器件形成的超势垒自偏置整流二极管，本发明同样适用。

在图2和图3中示出了本发明的第一实施例。