[发明专利]晶硅片切割液pH值的检测方法有效
| 申请号： | 201310531568.1 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103630586A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王杰;高敏杰;张孟雷;王行展;王红霞;宋漫漫;徐元清;袁庆冬 | 申请（专利权）人： | 河南新大新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 河南科技通律师事务所 41123 | 代理人： | 张建东 |
| 地址： | 475000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 发明公开了一种晶硅片切割液pH值的检测方法，旨在解决晶硅片切割液因电导率低以及其中的碳化硅微分、硅粉和吸附水等杂质的影响难以直接检测其pH值的技术问题。包括下列步骤：首先将待检测的晶硅片切割液进行固液分离，去除其中碳化硅微粉、硅粉固体杂质；再将分离后所得的液体进行真空蒸馏，去除其中的吸附水；然后将蒸馏后所得的液体与去离子水按一定比例混合均匀，所得的溶液冷却至检测温度后，检测其pH值，所得的结果即是待检测晶硅片切割液的pH值。本发明晶硅片切割液pH值的检测方法操作简便，检测结果准确性高、误差范围小，在切割液回收利用生产过程中能起到重要的技术指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 切割 ph 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种晶硅片切割液pH值的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：（1）固液分离：将待检测的晶硅片切割液进行固液分离，去除其中碳化硅微粉、硅粉固体杂质；（2）真空蒸馏：将步骤（1）中所得的液体在真空度≤0.09MPa、加热温度为60～70℃的条件下，蒸馏去除其中的吸附水；（3）溶液配制：将步骤（2）中所得的液体与去离子水按1:15~25的质量比混合均匀；（4）冷却检测：将步骤（3）中所得的液体冷却至测量温度后，检测其pH值，所得的结果即是检测晶硅片切割液的pH值。
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