[发明专利]GPP二极管芯片生产工艺流程

摘要

GPP二极管芯片生产工艺流程，涉及二极管芯片制造技术领域，在整个生产的过程中一定要遵循：清洗硅片—喷磷—一次分离—单面吹砂—涂硼—硅片扩散—二次分离—双面吹砂—光刻、刻蚀—清洗烘干—表面金属化—完成晶片的整个过程，特别对于光刻步骤需要将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层。本发明在整个过程中进过反复的分离、清洗和吹砂能够有效提高生产效率，降低生产成本，而且自主创新的扩散工艺能够提高产品质量，于提高工作效率。

主权项

1.GPP二极管芯片生产工艺流程其特征在于：GPP二极管芯片生产工艺流程主要包括以下技术步骤：（1）选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用；（2）在硅片清洗完成后使用机器对其进行帖磷和附磷操作；（3）操作完成后采用激光技术对硅片进行分离；（4）分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用；（5）将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂；（6）将硅片放置在1220温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部；（7）将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离；（8）将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用；（9）将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻；（10）对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用；（11）将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对硅片进行一次光刻处理；（12）处理完成后即便完成晶片的生产。