[发明专利]GPP二极管芯片生产工艺流程

说明书

技术领域：

本发明涉及二极管芯片制造技术领域，具体涉及GPP二极管芯片生产工艺流程。

背景技术：

GPP芯片主要用于SMD封装、桥堆和高档1N400系列整流管，其中SMD器件是滇西信息制造业的主流技术，而国家也是对SMD进行重点支持和鼓励，二极管应用领域的广泛性和不可替代性决定这个行业前景的广阔性，目前GPP被广泛应用于整流桥堆，比普通STD具有更高的可靠性和稳定性，但是目前在国内一些比较先进的技术都被大型国有企业掌控，在普通的生产企业中所采用的技术比较简单，而且生产成本高，生产效率较低。

发明内容：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够有效提高生产效率，降低生产成本，提高产品质量增加二极管芯片稳定性的GPP二极管芯片生产工艺流程。

本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：

GPP二极管芯片生产工艺流程主要包括以下技术步骤：

（1）选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用；

（2）在硅片清洗完成后使用机器对其进行帖磷和附磷操作；

（3）操作完成后采用激光技术对硅片进行分离；

（4）分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用；

（5）将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂；

（6）将硅片放置在经过1220温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部；

（7）将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离；

（8）将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用；

（9）将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻；

（10）对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用；

（11）将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对硅片进行一次光刻处理；

（12）处理完成后即便完成晶片的生产。

本发明的有益效果是：在整个过程中进过反复的分离、清洗和吹砂能够有效提高生产效率，降低生产成本，而且自主创新的扩散工艺能够提高产品质量，于提高工作效率。

具体实施方式：

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体示例，进一步阐述本发明。

GPP二极管芯片生产工艺流程主要包括以下方法进行加工：

选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用，在硅片清洗完成后使用涂磷机器对其进行帖磷和附磷操作，操作完成后采用激光技术对硅片进行分离，分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用，将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂，将硅片放置在经过1220温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部，将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离，将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用，将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻，对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用，将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对硅片进行一次光刻处理，处理完成后即便完成晶片的生产。

在整个生产的过程中一定要遵循：清洗硅片—喷磷—一次分离—单面吹砂—涂硼—硅片扩散—二次分离—双面吹砂—光刻、刻蚀—清洗烘干—表面金属化—完成晶片的整个过程，这样生产出来的GPP二极管芯片才会更加稳定，同时效率也提高了成本也相对有所降低。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。