[发明专利]GPP二极管芯片生产工艺流程

权利要求书

1.GPP二极管芯片生产工艺流程其特征在于：

GPP二极管芯片生产工艺流程主要包括以下技术步骤：

（1）选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用；

（2）在硅片清洗完成后使用机器对其进行帖磷和附磷操作；

（3）操作完成后采用激光技术对硅片进行分离；

（4）分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用；

（5）将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂；

（6）将硅片放置在1220温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部；

（7）将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离；

（8）将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用；

（9）将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻；

（10）对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用；

（11）将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对硅片进行一次光刻处理；

（12）处理完成后即便完成晶片的生产。