[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310500889.5 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103500756A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 徐源竣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机电致发光器件及其制作方法，所述有机电致发光器件包括：有机衬底层（22），提供柔性的基底并隔绝外部湿气；吸光层（24），设置在所述有机衬底层（22）之上；有源薄膜晶体管像素阵列，设置在所述吸光层（24）之上，所述有源薄膜晶体管像素阵列包括至少一经由激光退火工艺形成的结晶半导体层；以及有机电致发光层（29），设置在所述有源薄膜晶体管像素阵列之上；其中，所述吸光层（24）吸收在所述激光退火工艺中透过所述有源薄膜晶体管像素阵列而照射至所述吸光层（24）的激光，以避免所述有机衬底层（22）受所述激光影响而劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 电致发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：有机衬底层（22），提供柔性的基底并隔绝外部湿气；吸光层（24），设置在所述有机衬底层（22）之上；有源薄膜晶体管像素阵列，设置在所述吸光层（24）之上，所述有源薄膜晶体管像素阵列包括至少一经由激光退火工艺形成的结晶半导体层；以及有机电致发光层（29），设置在所述有源薄膜晶体管像素阵列之上；其中，所述吸光层（24）吸收在所述激光退火工艺中透过所述有源薄膜晶体管像素阵列而照射至所述吸光层（24）的激光，以避免所述有机衬底层（22）受所述激光影响而劣化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
