[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：

有机衬底层（22），提供柔性的基底并隔绝外部湿气；

吸光层（24），设置在所述有机衬底层（22）之上；

有源薄膜晶体管像素阵列，设置在所述吸光层（24）之上，所述有源薄膜晶体管像素阵列包括至少一经由激光退火工艺形成的结晶半导体层；以及

有机电致发光层（29），设置在所述有源薄膜晶体管像素阵列之上；

其中，所述吸光层（24）吸收在所述激光退火工艺中透过所述有源薄膜晶体管像素阵列而照射至所述吸光层（24）的激光，以避免所述有机衬底层（22）受所述激光影响而劣化。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件设置在一基板（20）之上。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机衬底层（22）包括聚酰亚胺。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述结晶半导体层包括多晶硅、连续晶界硅之一或其组合。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述激光退火工艺使用准分子紫外激光，所述吸光层（24）包括紫外光谱吸收材料，以吸收照射至所述吸光层（24）的准分子紫外激光。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述吸光层（24）为单层结构，其包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅之一或其组合。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述吸光层（24）为多层结构，其中至少一层包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅之一或其组合。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件进一步包括缓冲层（262），所述缓冲层（262）设置在所述吸光层（24）与所述有源薄膜晶体管像素阵列之间，以防止杂质扩散至所述有源薄膜晶体管像素阵列。

9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有源薄膜晶体管像素阵列包括：

包括源极区、漏极区和通道区的所述结晶半导体层；

设置在所述半导体层（263）上的栅极绝缘层（264）；

设置在栅极绝缘层（264）上的栅极（265）；

设置在栅极（265）上的保护层（266）；

设置在保护层（266）上的源极/漏极（267），所述源极通过通孔与所述源极区电连接，所述漏极通过通孔与所述漏极区电连接；

设置在源/漏极（267）上的钝化层（27）。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层（266）包括氧化硅、氮化硅之一或其组合。

11.如权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光层（29）设置在所述钝化层（27）之上。

12.如权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件进一步包括支撑体（30），所述支撑体（30）设置在所述有机电致发光层（29）之上。

13.一种有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板（20）；

步骤2、在所述基板（20）上形成有机衬底层（22）；

步骤3、在所述有机衬底层（22）上形成吸光层（24），所述吸光层（24）用于吸收照射至其表面的激光；

步骤4、在所述吸光层（24）上形成缓冲层（262）；

步骤5、在缓冲层（262）上形成非晶硅层，通过激光退火工艺将该非晶硅层转变为多晶硅层（263），并图案化该多晶硅层（263）；

步骤6、对多晶硅层（263）进行掺杂制程；

步骤7、激光活化所述多晶硅层（263）内的杂质；

步骤8、在所述多晶硅层（263）上依次形成栅极绝缘层（264）、栅极（265）、保护层（266）、源/漏极（267）、钝化层（27）、像素电极（28）及有机层（29）。

14.如权利要求13所述的有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，所述吸光层（24）的吸收波长范围包括308nm。