[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及平面显示领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制作方法。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）及有机电致发光器件（Organic Electroluminescence Device，OELD）,也称为有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，OLED）。

现有的液晶显示器一般为背光型液晶显示器，其包括：壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组（Backlight Module）。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转，从而将背光模组的光线折射出来产生画面。

请参阅图1，现有的液晶显示面板一般包括：薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）基板302，与薄膜晶体管基板302相对贴合设置的彩色滤光片（Color Filter，CF）基板304，以及设于薄膜晶体管基板302与彩色滤光片基板304之间的液晶层306，薄膜晶体管基板302驱动液晶层306内的液晶分子转动，以显示相应的画面。

有机电致发光器件具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示装置，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视机等领域。有机电致发光器件与传统的液晶显示器不同，其无需背光源，直接在玻璃基板上设置非常薄的有机材料涂层，当有电流通过时，这些有机材料涂层就会发光。

现有的有机发光显示装置按驱动方式分类，包括：无源矩阵式有机发光显示装置（Passive-matrix organic light emitting diode，PMOLED）与有源矩阵式有机发光显示装置（Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED），其中，请参阅图2，所述有源矩阵式有机发光显示装置一般包括：基板502、形成于基板502上的薄膜晶体管504及形成于薄膜晶体管504上的有机发光二极管506，所述薄膜晶体管504驱动有机发光二极管506发光，进而显示相应画面。

现有的活化方式一般为高温活化与激光（laser）活化，采用高温活化时，由于PI层的存在，使得其活化温度不能大于400℃，但如果温度小于400℃，那么会导致活化能力不足，OLED薄膜晶体管基板品质下降；采用激光活化时，激光照射到PI层会使得该PI层吸收激光而发生变质，进而导致OLED薄膜晶体管基板的良率下降，增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件，其通过设置吸光层，可以在对多晶硅层进行激光活化制程中防止PI层变质，良率高，有效降低生产成本。

本发明的另一目的在于提供一种有机电致发光器件的制作方法，其通过在有机衬底层与缓冲层之间设置吸光层，在对多晶硅层进行激光活化制程中，有效避免由于有机衬底层吸收激光而导致的变质，进而提升有机电致发光器件良率，降低生产成本。

为实现上述目的，本发明提供一种有机电致发光器件，包括：有机衬底层，提供柔性的基底并隔绝外部湿气；

吸光层，设置在所述有机衬底层之上；

有源薄膜晶体管像素阵列，设置在所述吸光层之上，所述有源薄膜晶体管像素阵列包括至少一经由激光退火工艺形成的结晶半导体层；以及

有机电致发光层，设置在所述有源薄膜晶体管像素阵列之上；

其中，所述吸光层吸收在所述激光退火工艺中透过所述有源薄膜晶体管像素阵列而照射至所述吸光层的激光，以避免所述有机衬底层受所述激光影响而劣化。

所述有机电致发光器件设置在一基板之上。

所述有机衬底层包括聚酰亚胺。

所述结晶半导体层包括多晶硅、连续晶界硅之一或其组合。

所述激光退火工艺使用准分子紫外激光，所述吸光层包括紫外光谱吸收材料，以吸收照射至所述吸光层的准分子紫外激光。

所述吸光层为单层结构，其包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅之一或其组合。

所述吸光层为多层结构，其中至少一层包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅之一或其组合。

所述有机电致发光器件进一步包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述吸光层与所述有源薄膜晶体管像素阵列之间，以防止杂质扩散至所述有源薄膜晶体管像素阵列。