[发明专利]高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310483298.1 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103526295A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 寇自力;刘国端;贺端威 | 申请（专利权）人： | 寇自力 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;B01J3/06 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 610024 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料，由亚微米级或/和微米级的单晶立方氮化硼晶粒直接键合而成，维氏硬度＞70GPa。其制备方法为：（1）前驱体的制备，以平均粒径为0.23～0.42μm的立方氮化硼单晶粉末为原料，根据所制备的前驱体的尺寸计量原料并将其放入金属容器中、放入模具施压成型得前躯体，所施加的压强为6～14MPa，保压时间为3～8min；（2）超高压烧结，将前驱体在施压下升温至1500～3000℃保温保压烧结5～60min，所施加的压强为8～12GPa，然后将温度降至室温、压强降至常压得烧结体；（3）烧结体的处理：将烧结体进行抛光处理并清洗、干燥，即得。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 硬度 立方 氮化 块体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料，其特征在于该材料由亚微米级或/和微米级的单晶立方氮化硼晶粒直接键合而成，维氏硬度＞70GPa。
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