[发明专利]高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料及其制备方法有效
申请号: | 201310483298.1 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103526295A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 寇自力;刘国端;贺端威 | 申请(专利权)人: | 寇自力 |
主分类号: | C30B29/38 | 分类号: | C30B29/38;B01J3/06 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 黄幼陵 |
地址: | 610024 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高纯 硬度 立方 氮化 块体 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料,其特征在于该材料由亚微米级或/和微米级的单晶立方氮化硼晶粒直接键合而成,维氏硬度>70GPa。
2.一种高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于工艺步骤如下:
(1)前驱体的制备
以平均粒径为0.23~0.42μm的立方氮化硼单晶粉末为原料,根据所制备的前驱体的尺寸计量原料,然后将计量好的原料放入金属容器中,继后将金属容器放入模具施压成型得前躯体,所施加的压强为6~14MPa,保压时间为3~8min;
(2)超高压烧结
将步骤(1)所得前驱体在施压下升温至1500~3000℃保温保压烧结5~60min,所施加的压强为8~12GPa,烧结时间届满后,将温度降至室温、压强降至常压得烧结体;
(3)烧结体的处理
将步骤(2)所得烧结体进行抛光处理并清洗、干燥,即得高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料。
3.根据权利要求2所述高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于步骤(2)中以0.3~0.5GPa/min的速率将对前驱体施加的压强升至8~12GPa,再以100~260℃/min的速率将烧结温度升至1500~3000℃。
4.根据权利要求2或3所述高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于步骤(2)中以80~220℃/min的速率将温度从1500~3000℃降至室温,再以0.25~0.45GPa/min的速率将压强从8~12GPa降至常压。
5.根据权利要求2或3所述高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于所述金属容器由不与立方氮化硼反应的金属材料制作。
6.根据权利要求4所述高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于所述金属容器由不与立方氮化硼反应的金属材料制作。
7.根据权利要求5所述高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于所述不与立方氮化硼反应的金属材料为锆、铌、钽或钼。
8.根据权利要求6所述高纯高硬度聚晶立方氮化硼块体材料的制备方法,其特征在于所述不与立方氮化硼反应的金属材料为锆、铌、钽或钼。
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