[发明专利]MEMS麦克风及其制造方法有效
申请号: | 201310482886.3 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103561376B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 孟珍奎 | 申请(专利权)人: | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种MEMS麦克风的制造方法,所述在第一基座制作具有背板和背板绝缘层的背板组件,并在所述背板组件形成穿透所述背板和所述背板绝缘层的声学孔,且在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔;在第二基座制作具有振膜的振膜组件,并在所述振膜组件形成声腔;将所述振膜组件键合到所述背板组件,以使所述振膜与所述背板相对设置,所述声学孔和所述声腔相连通且所述透气孔通过所述声腔与所述声学孔相连通。本发明还提供一种采用上述制造方法制作而成的MEMS麦克风。 | ||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,包括:在第一基座制作具有背板和背板绝缘层的背板组件,并在所述背板组件形成穿透所述背板和所述背板绝缘层的声学孔,且在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔的步骤,该步骤包括:提供第一基座,所述第一基座包括第一半导体衬底、第一绝缘层和背板层,其中所述背板层的中间主体区域作为所述背板;在所述背板层表面制作背板绝缘层,并在所述第一半导体衬底的底面制作绝缘保护层;在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔,所述透气孔延伸到所述背板组件的侧面;在所述背板绝缘层和所述背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学孔,所述多个声学孔穿透所述背板绝缘层和所述背板层,并且所述背板绝缘层被所述多个声学孔分割形成多个防粘突起;在第二基座制作具有振膜的振膜组件,并在所述振膜组件形成声腔的步骤,该步骤包括:提供第二基座,所述第二基座包括第二半导体衬底、第二绝缘层和振膜层;在所述振膜层表面制作振膜绝缘层,并在所述第二半导体衬底的底面制作绝缘保护层;通过对所述振膜绝缘层和所述振膜层的中间主体区域进行刻蚀处理,形成穿透所述振膜绝缘层且从所述振膜层表面向下延伸但未穿透所述振膜层的声腔,其中,所述振膜层未被所述声腔穿透的中间主体区域形成所述振膜,所述振膜的厚度小于所述振膜层的边缘区域;将所述振膜组件键合到所述背板组件的步骤,以使所述振膜与所述背板相对设置,所述声学孔和所述声腔相连通且所述透气孔通过所述声腔与所述声学孔相连通,该步骤包括:将所述振膜组件进行翻转;将所述振膜组件与所述背板组件对准;通过键合工艺将所述振膜组件的振膜绝缘层键合到所述背板组件的背板绝缘层。
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