[发明专利]MEMS麦克风及其制造方法有效
申请号: | 201310482886.3 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103561376B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 孟珍奎 | 申请(专利权)人: | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及麦克风技术,特别地,涉及一种微机电系统(Micro-Electro-Mechanic System,MEMS)麦克风以及所述MEMS麦克风的制造方法。
背景技术
随着无线通讯的发展,用户对移动电话的通话质量要求越来越高,麦克风作为移动电话的语音拾取装置,其设计的好坏直接影响移动电话的通话质量。
目前在移动电话应用较为广泛的麦克风是MEMS麦克风,一种与本发明相关的MEMS麦克风包括振膜和背板,二者构成MEMS声传感电容,且MEMS声传感电容进一步通过连接盘连接到处理芯片以将声传感信号输出给处理芯片进行信号处理。上述MEMS麦克风的振膜和背板是在同一个硅基座并利用半导体制作工艺制作而成,且在制作过程中还包括形成声腔、背腔、声学孔、透气孔和连接盘等工艺步骤。
由于MEMS麦克风的每一个制作工艺步骤是在同一个硅基座制作形成,因此必须在前一个工艺步骤完成之后方可进行下一个工艺步骤,此将导致MEMS麦克风的整体制造效率较低。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种可以提高MEMS麦克风整体制造效率的MEMS麦克风的制造方法;并且,本发明还进一步提供一种采用上述制造方法制造得到的MEMS麦克风。
本发明提供的MEMS麦克风的制造方法,包括:在第一基座制作具有背板和背板绝缘层的背板组件,并在所述背板组件形成穿透所述背板 和所述背板绝缘层的声学孔,且在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔;在第二基座制作具有振膜的振膜组件,并在所述振膜组件形成声腔;将所述振膜组件键合到所述背板组件,以使所述振膜与所述背板相对设置,所述声学孔和所述声腔相连通且所述透气孔通过所述声腔与所述声学孔相连通。
在本发明提供的MEMS麦克风的制造方法的一种较佳实施例中,所述在第一基座制作具有背板和背板绝缘层的背板组件,并在所述背板组件形成穿透所述背板和所述背板绝缘层的声学孔,且在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔包括:提供第一基座,其包括第一半导体衬底、第一绝缘层和背板层,其中所述背板层的中间主体区域作为所述背板;在所述背板层表面制作背板绝缘层,并在所述第一半导体衬底的底面制作绝缘保护层;在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔,所述透气孔延伸到所述背板组件的侧面;
在所述背板绝缘层和所述背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学孔,所述多个声学孔穿透所述背板绝缘层和所述背板层,并且所述背板绝缘层被所述多个声学孔分割形成多个防粘突起。
在本发明提供的MEMS麦克风的制造方法的一种较佳实施例中,所述在第二基座制作具有振膜的振膜组件,并在所述振膜组件形成声腔包括:提供第二基座,其包括第二半导体衬底、第二绝缘层和振膜层;在所述振膜层表面制作振膜绝缘层,并在所述第二半导体衬底的底面制作绝缘保护层;通过对所述振膜绝缘层和所述振膜层的中间主体区域进行刻蚀处理,形成穿透所述振膜绝缘层且从所述振膜层表面向下延伸但未穿透所述振膜层的声腔,其中,所述振膜层未被所述声腔穿透的中间主体区域形成所述振膜,所述振膜的厚度小于所述振膜层的边缘区域。
在本发明提供的MEMS麦克风的制造方法的一种较佳实施例中,所述将所述振膜组件键合到所述背板组件包括:将所述振膜组件进行翻转;将所述振膜组件与所述背板组件对准;通过键合工艺将所述振膜组件的振膜绝缘层键合到所述背板组件的背板绝缘层。
在本发明提供的MEMS麦克风的制造方法的一种较佳实施例中,还 包括:将所述振膜组件的绝缘保护层完全刻蚀掉,并对所述振膜组件的第二半导体衬底进行薄化处理;在所述振膜组件中与所述振膜相对应的区域刻蚀出前腔,其中所述前腔穿透所述第二半导体衬底和所述第二绝缘层并延伸到所述振膜,并且所述前腔和所述声腔分别位于所述振膜的两个相对侧;在所述背板组件中与所述背板相对应的区域刻蚀出背腔,其中所述背腔穿透所述背板组件的绝缘保护层、所述第一半导体衬底和所述第一绝缘层并延伸到所述背板的底面,并且所述背腔与所述声学孔相连通。
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