[发明专利]MEMS麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，包括：

在第一基座制作具有背板和背板绝缘层的背板组件，并在所述背板组件形成穿透所述背板和所述背板绝缘层的声学孔，且在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔；

在第二基座制作具有振膜的振膜组件，并在所述振膜组件形成声腔；

将所述振膜组件键合到所述背板组件，以使所述振膜与所述背板相对设置，所述声学孔和所述声腔相连通且所述透气孔通过所述声腔与所述声学孔相连通。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，所述在第一基座制作具有背板和背板绝缘层的背板组件，并在所述背板组件形成穿透所述背板和所述背板绝缘层的声学孔，且在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔包括：

提供第一基座，其包括第一半导体衬底、第一绝缘层和背板层，其中所述背板层的中间主体区域作为所述背板；

在所述背板层表面制作背板绝缘层，并在所述第一半导体衬底的底面制作绝缘保护层；

在所述背板绝缘层的边缘区域形成透气孔，所述透气孔延伸到所述背板组件的侧面；

在所述背板绝缘层和所述背板层的中间主体区域刻蚀出多个声学孔，所述多个声学孔穿透所述背板绝缘层和所述背板层，并且所述背板绝缘层被所述多个声学孔分割形成多个防粘突起。

3.如权利要求2所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，所述在第二基座制作具有振膜的振膜组件，并在所述振膜组件形成声腔包括：

提供第二基座，其包括第二半导体衬底、第二绝缘层和振膜层；

在所述振膜层表面制作振膜绝缘层，并在所述第二半导体衬底的底面制作绝缘保护层；

通过对所述振膜绝缘层和所述振膜层的中间主体区域进行刻蚀处理，形成穿透所述振膜绝缘层且从所述振膜层表面向下延伸但未穿透所述振膜层的声腔，其中，所述振膜层未被所述声腔穿透的中间主体区域形成所述振膜，所述振膜的厚度小于所述振膜层的边缘区域。

4.如权利要求3所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，所述将所述振膜组件键合到所述背板组件包括：

将所述振膜组件进行翻转；

将所述振膜组件与所述背板组件对准；

通过键合工艺将所述振膜组件的振膜绝缘层键合到所述背板组件的背板绝缘层。

5.如权利要求3所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，还包括：

将所述振膜组件的绝缘保护层完全刻蚀掉，并对所述振膜组件的第二半导体衬底进行薄化处理；

在所述振膜组件中与所述振膜相对应的区域刻蚀出前腔，其中所述前腔穿透所述第二半导体衬底和所述第二绝缘层并延伸到所述振膜，并且所述前腔和所述声腔分别位于所述振膜的两个相对侧；

在所述背板组件中与所述背板相对应的区域刻蚀出背腔，其中所述背腔穿透所述背板组件的绝缘保护层、所述第一半导体衬底和所述第一绝缘层并延伸到所述背板的底面，并且所述背腔与所述声学孔相连通。

6.如权利要求5所述的MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，还包括：

制作振膜连接孔和背板连接孔，其中所述振膜连接孔从所述第二半导体衬底表面延伸到所述振膜层，所述背板连接孔从所述第二半导体衬底表面延伸到所述背板层；

在所述背板连接孔的底面和所述振膜连接孔的底面分别形成背板连接盘和振膜连接盘；

其中，所述制作振膜连接孔和背板连接孔包括：

在形成所述透气孔的过程中，通过同一次刻蚀工艺可以在所述背板绝缘层形成背板连接孔位于所述背板组件的部分；

在形成声腔的过程中，通过同一次刻蚀工艺在所述振膜绝缘层和所述振膜层形成所述背板连接孔位于所述振膜组件的第一部分；

在刻蚀所述前腔的过程中，通过同一次刻蚀工艺在所述第二半导体衬底和第二绝缘层形成振膜连接孔以及所述背板连接孔位于所述振膜组件的第二部分。

7.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括相互键合的背板组件和振膜组件；

其中，所述背板组件包括背板和背板绝缘层，所述背板组件形成有穿透所述背板和所述背板绝缘层的声学孔，且所述背板绝缘层的边缘区域形成有透气孔；

所述振膜组件包括与所述背板组件的背板相对设置的振膜，且所述振膜组件形成有声腔，所述声腔与所述声学孔相连通，且所述透气孔通过所述声腔与所述声学孔相连通。