[发明专利]一种提高芯片周期耐久性的方法无效
| 申请号： | 201310477570.5 | 申请日： | 2013-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103559911A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张登军 | 申请（专利权）人： | 广东博观科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 519080 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高芯片周期耐久性的方法，包括以下步骤：对Block预编程；判断Block各区域是否均匀；根据Block不同的状况，使用不同的擦除方法进行擦除；刷新编程。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过采用首先检查Block内存储器单元的情况，自适应调节擦除块大小的方法，提高芯片周期耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 周期 耐久性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高芯片周期耐久性的方法，该方法包括以下步骤：a）对Block预编程；b）判断Block各区域是否均匀；c）根据Block各区域的均匀情况，使用不同的擦除方法进行擦除；d）刷新编程。
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