[发明专利]一种提高芯片周期耐久性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高芯片周期耐久性的方法。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

Nor Flash存储区域为了节约芯片面积，一般都采用物理集中放置，构成一个存储矩阵，然后在逻辑上分成很多块，如图2所示。通常1个芯片由多个Block（块）组成，每个Block由多个Sector（段）组成。通常Nor Flash擦除的命令有三种：芯片擦除（chip erase）、块擦除(block erase)、段擦除(sector erase)，通常对芯片进行整体擦除操作时，采用分块来逐个擦除，这个分块通常为了节约擦除时间一般采用Block为单位，也就是16个Sector一起进行擦除操作，正是由于这种选择方式，带来了芯片周期耐久性的问题，一般芯片要求10万次的周期耐久性，但是如果采用一起操作方式，通常很难达到10万次的周期耐久性的要求。

由于Nor Flash存储器单元自身的特点，当存储器单元经过多次擦写后，这个存储器单元会变慢，例如，我们对Sector0进行10万次周期擦写，这个Sector内的所有单元擦写速度变慢，但是其它的存储单元还是保持原来的擦写速度，这样如果我们对Sector0所在的大Block做块擦除操作时，就会出现等到这个sector擦除好了以后，这个block里面的其他的Sector都已经“过擦除”了，芯片又需要纠正这些“过擦除”存储单元，需要耗费大量时间，如果“过擦除”严重，没有办法纠正过来，导致擦除失败。

因此，希望提出一种解决当前Nor Flash芯片周期耐久性问题的方法。

发明内容

本发明提供了一种可以解决上述问题的方法，包括以下步骤：

a）对Block预编程；

b）判断Block各区域是否均匀；

c）根据Block各区域均匀情况，使用不同的擦除方法进行擦除；

d）刷新编程。

与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过采用首先检查Block内存储器单元的情况，自适应调节擦除块大小的方法，提高芯片周期耐久性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为根据本发明的实施例的提高芯片周期耐久性的方法流程图；

图2为Nor Flash存储区域示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例。

所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

本发明提供了一种提高芯片周期耐久性的方法。下面，将结合图1和图2通过本发明的一个实施例对此方法进行具体描述。如图1所示，本发明所提供的方法包括以下步骤：

在步骤S101中，对Block预编程。