[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及其显示面板有效
| 申请号： | 201310476913.6 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103943628A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 楼均辉 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层。所述TFT阵列基板，薄化了存储电容结构厚度，提高了存储电容的电容值，从而提升其所应用的显示面板的图像显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制造 方法 及其 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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