[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及其显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示器件领域，特别是TFT阵列基板、TFT阵列基板的制造方法以及采用该TFT阵列基板的显示面板。

背景技术

TFT阵列基板中，集成了多个薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT），以驱动LCD或者OLED显示面板中的像素点，再配合外围驱动电路，实现显示面板的图像显示。因此，TFT是控制发光的开关，是实现图像显示的关键因素，直接关系到显示面板的发展方向。然而，现有显示面板技术的TFT阵列基板中，其存储电容区域与栅绝缘层叠加，导致不同介质层叠形成的结构厚度较厚，相应地降低了存储电容的电容值，使得电容不足、寄生电容增多，影响了图像显示质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种，其有效避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或更多的问题。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案之一为：一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，所述存储电容由第一电极层、刻蚀阻挡层和第二电极层依次层叠而组成。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案之二为：一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含TFT区域和存储电容区域，所述存储电容区域包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘层、刻蚀阻挡层和第二电极层，所述存储电容区域位于所述第一电极层上方的至少部分绝缘层厚度小于TFT区域位于所述第一电极层上方的绝缘层厚度。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案之三为：其包括以下步骤：提供一块基板，在基板上形成第一电极层和绝缘层；刻蚀存储电容区域中的绝缘层；在绝缘层被刻蚀处形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层之上设置第二电极层。

本发明提供了一种TFT阵列基板及其制造方法，于第一电极层上设置绝缘层，在绝缘层上刻蚀时，刻光或减薄部分绝缘层，然后直接形成刻蚀阻挡层于被刻蚀的相应位置；与传统结构的存储电容相比，消除或者减薄了绝缘层的厚度，以降低存储电容的整体厚度，相应提高了存储电容的电容值，并减少了寄生电容的干扰。

附图说明

图1为本发明第一实施例中TFT阵列基板的剖面结构示意图。

图2为本发明第一实施例中TFT阵列基板的制造方法示意图。

图3为本发明第一实施例中TFT阵列基板的制造方法示意图。

图4为本发明第一实施例中TFT阵列基板的制造方法示意图。

图5为本发明第一实施例中TFT阵列基板的制造方法示意图。

图6为本发明第一实施例中TFT阵列基板的制造方法流程图。

图7为本发明第二实施例中TFT阵列基板的剖面结构示意图。

图8为本发明第二实施例中TFT阵列基板的制造方法流程图。

具体实施方式

本发明第一实施例所提供的TFT阵列基板100及其制造方法，请参考图1至图6。

图1为TFT阵列基板100的剖面结构示意图。为了说明的方便，TFT阵列基板100按其功能，包含三个区域，即TFT区域A、存储电容区域B和驱动电路区域C。TFT阵列基板100从结构上，包括：基板10、第一电极层22、24和26、绝缘层30、半导体层40、刻蚀阻挡层52和54以及第二电极层62、64和66。

第一电极层分别设于TFT区域A、存储电容区域B和驱动电路区域C，分别标识为22、24和26。第一电极层的材料可以为钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、铜、钛、镍、铬、或它们的复合层。TFT区域A中，第一电极层22为栅极。存储电容区域B中，第一电极层24的上表面包括两个第一区域242和一个第二区域244。第一区域242分别位于第一电极层24上表面的两侧；第二区域244位于第一电极层24上表面的中间。驱动电路区域C中，第一电极层26的上表面包括两个第三区域262和一个第四区域264。第三区域262分别位于第一电极层26上表面的两侧；第二区域264位于第一电极层26上表面的中间。第一电极层22、24和26在TFT区域A、存储电容区域B和驱动电路区域C这三个区域中均位于同层。