[发明专利]TFT阵列基板、制造方法及其显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；

所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述存储电容区域中，所述第一电极层在所述存储电容区域包括第一区域和第二区域，第一区域设置绝缘层，所述刻蚀阻挡层设于第二区域及部分绝缘层之上。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层与第一、第二电极层直接接触。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含TFT区域和驱动电路区域，所述驱动电路区域包括：与TFT区域同层设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层；所述第一电极层在所述驱动电路区域包括第三区域和第四区域，所述绝缘层设于所述第三区域，第二电极层设于所述第四区域和部分绝缘层之上。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT区域中，所述第一电极层包括栅极，所述第二电极层包括源极和漏极，所述绝缘层设于第一电极层之上。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT区域中，还包括半导体层，其位于所述绝缘层与刻蚀阻挡层之间。

7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物、非晶硅或者多晶硅。

8.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述存储电容区域和驱动电路区域，分别设置通孔于第一、二电极层之间，所述通孔分别贯穿所述存储电容区域和驱动电路区域的绝缘层。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层设于存储电容区域的通孔上方。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层比所述TFT区域的绝缘层薄，所述刻蚀阻挡层的厚度为

11.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，所述存储电容区域位于所述第一电极层上方的至少部分绝缘层厚度小于TFT区域位于所述第一电极层上方的绝缘层厚度。

12.根据权利要求11所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包含驱动电路区域，其包括：均与TFT区域同层设置的第一电极层，绝缘层和第二电极层；所述绝缘层上设有通孔，以使所述第一电极层和第二电极层电连接。

13.根据权利要求11所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述存储电容区域至少部分绝缘层厚度是TFT区域绝缘层厚度的10%～90%。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述存储电容区域的刻蚀阻挡层比所述TFT区域的绝缘层薄，厚度为

15.一种显示面板，其包括根据权利要求1至14中任一项所述的TFT阵列基板。

16.一种TFT阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板上依次形成第一电极层和绝缘层；

刻蚀存储电容区域中的所述绝缘层；

在所述绝缘层被刻蚀处形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层之上形成第二电极层。

17.根据权利要求16所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述存储电容区域的绝缘层被刻蚀以形成通孔或者被减薄厚度。

18.根据权利要求16所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括步骤：刻蚀驱动电路区域的绝缘层以形成通孔。