[发明专利]SRAM单元

摘要

一种SRAM单元，包括位于第一有源区的第一下拉晶体管、第一传输晶体管和第三传输晶体管，第一下拉晶体管与第一传输晶体管共第一漏极，第一传输晶体管与第三传输晶体管的类型相同，第三传输晶体管的第三漏极与第一漏极接触导通。由于第三传输晶体管与第一传输晶体管为同类型晶体管，第一漏极和第三漏极接触，可实现无障碍电连接，电信号可在第一漏极和第三漏极之间畅通传递。与现有技术的第一漏极和第三漏极依靠互连线电连接相比，第一漏极和第三漏极之间接触导通，减少了互连线条数，简化了互连线布层，减小了互连线布层的复杂性。互连线条数减少，降低了生产成本。而且，互连线布层复杂性降低，进一步增强了SRAM单元的稳定性、可靠性。

主权项

一种SRAM单元，其特征在于，包括：位于第一有源区的第一下拉晶体管、第一传输晶体管和第三传输晶体管，所述第一下拉晶体管与第一传输晶体管共第一漏极，第一传输晶体管与第三传输晶体管的类型相同，所述第三传输晶体管的第三漏极与第一漏极接触导通；位于第二有源区的第二下拉晶体管、第二传输晶体管和第四传输晶体管，所述第四传输晶体管与第二传输晶体管为同类型晶体管，所述第二下拉晶体管与第四传输晶体管共第二漏极，所述第四传输晶体管的第四漏极与第二漏极电连接；位于第一有源区和第二有源区之间的第三有源区，和位于所述第三有源区和第二有源区之间的第四有源区；位于第三有源区的第一上拉晶体管，所述第一上拉晶体管与第一下拉晶体管共第一栅极；位于所述第四有源区的第二上拉晶体管，所述第二上拉晶体管与第二下拉晶体管共第二栅极；所述第一漏极、第一上拉晶体管的第五漏极与第二栅极电连接，所述第二漏极、第二上拉晶体管的第六漏极与第一栅极电连接。