[发明专利]SRAM单元有效
| 申请号： | 201310464309.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104517637B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王楠;李煜;王媛;王颖倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sram 单元 | ||
1.一种SRAM单元，其特征在于，包括：
位于第一有源区的第一下拉晶体管、第一传输晶体管和第三传输晶体管，所述第一下拉晶体管与第一传输晶体管共第一漏极，第一传输晶体管与第三传输晶体管的类型相同，所述第三传输晶体管的第三漏极与第一漏极接触导通；
位于第二有源区的第二下拉晶体管、第二传输晶体管和第四传输晶体管，所述第四传输晶体管与第二传输晶体管为同类型晶体管，所述第二下拉晶体管与第四传输晶体管共第二漏极，所述第四传输晶体管的第四漏极与第二漏极电连接；
位于第一有源区和第二有源区之间的第三有源区，和位于所述第三有源区和第二有源区之间的第四有源区；
位于第三有源区的第一上拉晶体管，所述第一上拉晶体管与第一下拉晶体管共第一栅极；
位于所述第四有源区的第二上拉晶体管，所述第二上拉晶体管与第二下拉晶体管共第二栅极；
所述第一漏极、第一上拉晶体管的第五漏极与第二栅极电连接，所述第二漏极、第二上拉晶体管的第六漏极与第一栅极电连接。
2.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述第四传输晶体管与第二传输晶体管的类型相同；所述第四传输晶体管的第四漏极与第二漏极电连接为，所述第四漏极与第二漏极接触导通。
3.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管为第一上拉PMOS晶体管，所述第二上拉晶体管为第二上拉PMOS晶体管；
所述第一下拉晶体管为第一下拉NMOS晶体管，所述第二下拉晶体管为第二下拉NMOS晶体管。
4.如权利要求3所述的SRAM单元，其特征在于，所述第一上拉PMOS晶体管和第二上拉PMOS晶体管的结构相同。
5.如权利要求3所述的SRAM单元，其特征在于，所述第一下拉NMOS晶体管和第二下拉NMOS晶体管的结构相同。
6.如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管的结构相同，第三传输晶体管和第四传输晶体管的结构相同。
7.如权利要求6所述的SRAM单元，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管均为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
8.如权利要求6所述的SRAM单元，其特征在于，所述第三传输晶体管和第四传输晶体管均为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
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