[发明专利]检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法有效
| 申请号: | 201310460126.2 | 申请日: | 2013-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN103715212B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
| 发明(设计)人: | 藤吉健太郎;渡边实;横山启吾;大藤将人;川锅润;和山弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 杨小明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法。一种检测设备包括多个转换元件、层间绝缘层和覆盖层。多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。层间绝缘层被设置为覆盖多个开关元件并由有机材料构成,并且具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面。电极被设置在第一区域中的层间绝缘层的表面上。覆盖层被设置在第二区域中的层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。 | ||
| 搜索关键词: | 检测 设备 系统 用于 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种检测设备,其特征在于包含:像素阵列区域和像素阵列外部区域,在像素阵列区域中多个像素被布置于基板上,并且像素阵列外部区域在基板上被布置于像素阵列区域之外,所述多个像素中的每一个都包括转换元件,所述转换元件包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极、设置在所述电极上的杂质半导体层和设置在所述杂质半导体层上的半导体层;层间绝缘层,该层间绝缘层被设置为覆盖所述多个开关元件并由有机材料构成,所述电极在像素阵列区域中被设置于层间绝缘层的表面上;以及覆盖层,所述覆盖层由无机材料构成,其中,所述覆盖层在像素阵列外部区域中被布置于层间绝缘层的表面上,以使得所述多个像素之中的位于所述像素阵列区域的边缘的像素的杂质半导体层的端部被置于所述覆盖层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





