[发明专利]检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法

说明书

技术领域

本发明涉及被应用于医疗图像诊断设备、无损检查设备、使用放射线的分析设备等的检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法。

背景技术

近年来，薄膜半导体生产技术已经被应用于制造包括像素的阵列（像素阵列）的放射线检查设备。在这些设备中，通过组合诸如薄膜晶体管（TFT）的开关元件和（将放射线或光转换为电荷的）诸如光电二极管的转换元件来提供每一个像素。在日本专利特开No.2007-035773中描述的现有技术的检查设备包括在设置于基板上的电极上提供的转换元件。这些电极由透明导电氧化物构成，并且在逐个像素的基础上被相互分开。此外，现有技术的检查设备还包括经由在层间绝缘层中提供的接触孔被连接到电极的开关元件。层间绝缘层被设置在基板与电极之间，并且由有机材料构成。以将其在层间绝缘层上的杂质半导体层和半导体层去除的方式，现有技术的检查设备的转换元件被在逐个像素的基础上被相互分开。但是，在日本专利特开No.2007-035773中描述的结构的生产中，在沉积要成为转换元件的杂质半导体层的杂质半导体膜和要成为转换元件的半导体层的半导体膜的情况中，以及将在层间绝缘层上的杂质半导体膜和半导体膜去除的情况中，存在层间绝缘层被暴露的处理。更具体地说，在基板上，其中没有设置像素的区域（像素阵列外部区域）存在于其中设置有多个像素的区域（像素阵列区域）的外部。为了在像素阵列区域中使层间绝缘层的厚度均匀，层间绝缘层不仅被设置在像素阵列区域内，而且被设置为延伸超出像素阵列区域并到达像素阵列外部区域。因此，在形成转换元件的情况中，在像素阵列外部区域中的层间绝缘层的暴露面积大于在像素阵列区域中的层间绝缘层的暴露面积。当由有机材料构成的层间绝缘层在使用化学气相沉积（CVD）法、蚀刻法等来形成转换元件的情况中被暴露时，会发生有机材料被混入转换元件的有机污染。在层间绝缘层的暴露区域之间的大的差异导致了有机污染的程度之间的大的差异。这样，位于像素阵列区域的边缘处的转换元件的有机污染的程度与位于像素阵列区域的中心处的转换元件的有机污染的程度会存在大的差异。出于这一原因，在有机污染的程度之间的差异导致了位于像素阵列区域的边缘处的转换元件的转换特征与位于像素阵列区域的中心处的转换元件的转换特征之间的大的差异。因此，位于像素阵列区域的边缘处的转换元件的转换特征与位于像素阵列区域的中心处的转换元件的转换特征的差异会导致在成像期间发生图像伪影。

发明内容

本发明致力于解决这些问题，并且提供一种检测设备，其中，减少了来自像素阵列外部区域中的层间绝缘层的有机材料到转换元件的杂质半导体层和半导体层中的混合，并且，因此，降低了图像伪影的发生。

根据本发明的检测设备包括多个转换元件、层间绝缘层和覆盖层。多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。层间绝缘层被设置为覆盖所述多个开关元件并由有机材料构成，并且具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面。电极被设置在第一区域中的层间绝缘层的表面上。覆盖层被设置在第二区域中的层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。

此外，根据本发明的用于制造检测设备的方法是用于制造包括多个转换元件的检测设备的方法。多个转换元件中的每一个都包括电连接到所述多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。该方法包括如下：形成层间绝缘层以覆盖所述多个开关元件、以及在第一区域中的层间绝缘层的表面上形成电极和在第二区域中的层间绝缘层的表面上形成覆盖层的第一步骤，层间绝缘层由有机材料构成并具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面，该覆盖层由无机材料构成；以及在第一步骤之后在电极上形成半导体层的第二步骤。

根据本发明，可以提供一种检测设备，其中，减少了来自像素阵列外部区域中的层间绝缘层的有机材料到转换元件的杂质半导体层和半导体层中的混合，并且，因此，降低图像伪影的发生。

根据下面参照附图的对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将会变得清晰。

附图说明

图1A、1B和1C是根据第一实施例的检测设备的示意平面图。

图2A、2B和2C是根据第一实施例的检测设备的示意截面图。

图3A、3C、3E、3G和3I是用于解释制造根据第一实施例的检测设备的方法的掩模图案的示意平面图，图3B、3D、3F、3H和3J是用于解释制造根据第一实施例的检测设备的方法的检测设备的示意截面图。