[发明专利]检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法

权利要求书

1.一种检测设备，包含：

多个转换元件，所述多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层；

层间绝缘层，该层间绝缘层被设置为覆盖所述多个开关元件并由有机材料构成，该层间绝缘层具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面，所述电极在第一区域中被设置于层间绝缘层的表面上；以及

覆盖层，该覆盖层在第二区域中被设置于层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。

2.根据权利要求1所述的检测设备，

其中，所述多个转换元件还包括设置在所述电极和所述半导体层之间的杂质半导体层，并且

其中，所述电极的末端被设置在所述覆盖层和所述杂质半导体层之间。

3.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述电极的末端被设置在所述层间绝缘层和所述覆盖层之间。

4.根据权利要求1所述的检测设备，还包括覆盖部件，所述覆盖部件被设置在所述电极之间以覆盖所述层间绝缘层并由无机材料构成。

5.根据权利要求1所述的检测设备，

其中，所述多个开关元件是设置在基板上的薄膜晶体管，

其中，所述层间绝缘层具有用于电连接所述薄膜晶体管的主电极和所述电极的接触孔，并且

其中，所述检测设备还包括保护部件，所述保护部件被配置为保护所述接触孔中的主电极。

6.一种检测系统，包括：

根据权利要求1所述的检测设备；

信号处理单元，该信号处理单元被配置为处理从所述检测设备供应的信号；

记录单元，该记录单元被配置为记录从所述信号处理单元供应的信号；

显示单元，该显示单元被配置为显示从所述信号处理单元供应的信号；以及

发送处理单元，该发送处理单元被配置为发送从所述信号处理单元供应的信号。

7.一种用于制造检测设备的方法，该检测设备包括多个转换元件，所述多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层，该方法包括：

形成所述多个开关元件、形成由有机材料构成并具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面的层间绝缘层以覆盖所述多个开关元件、以及在第一区域中在层间绝缘层的表面上形成电极和至少在第二区域中在层间绝缘层的表面上形成覆盖层的第一步骤，该覆盖层由无机材料构成；以及

在第一步骤之后至少在所述电极上形成半导体层的第二步骤。

8.根据权利要求7所述的制造检测设备的方法，其中，第一步骤还包括：沉积导电膜以覆盖层间绝缘层并由导电膜形成电极的步骤；以及沉积膜以覆盖所述层间绝缘层和所述电极并由该膜形成覆盖层的步骤，该膜由无机材料构成。

9.根据权利要求7所述的制造检测设备的方法，其中，第一步骤还包括：沉积膜以覆盖所述层间绝缘层并由该膜形成覆盖层的步骤，该膜由无机材料构成；以及沉积导电膜以覆盖所述层间绝缘层和所述覆盖层并由该导电膜形成电极的步骤。

10.根据权利要求7所述的制造检测设备的方法，其中，第二步骤还包括：沉积杂质半导体膜的步骤，该杂质半导体膜要作为设置在电极和半导体层之间的杂质半导体层；以在覆盖层上去除杂质半导体膜的一部分的方式形成杂质半导体层的步骤；以及沉积半导体膜以覆盖杂质半导体层的步骤，该半导体膜要作为所述半导体层。

11.根据权利要求7所述的制造检测设备的方法，其中，第二步骤还包括：沉积杂质半导体膜的步骤，该杂质半导体膜要作为设置在所述电极和所述半导体层之间的杂质半导体层；沉积半导体膜以覆盖所述杂质半导体膜的步骤，该半导体膜要作为所述半导体层；以在所述覆盖层上分别去除所述杂质半导体膜的一部分和所述半导体膜的一部分的方式由所述杂质半导体膜形成杂质半导体层并由所述半导体膜形成转换元件的半导体层的步骤。

12.根据权利要求10所述的制造检测设备的方法，其中，第二步骤还包括：沉积具有与前述杂质半导体膜的导电类型不同的导电类型的杂质半导体膜以覆盖所述半导体膜的步骤；沉积要作为所述转换元件的与前述电极不同的其它电极的导电膜以覆盖具有不同的导电类型的杂质半导体膜的步骤；以及在电极布线图案的正交投影与覆盖部件重叠的位置处形成电极布线图案的步骤，电极布线图案和导电膜之间具有结。