[发明专利]半导体装置

摘要

提供半导体装置。在槽栅型的半导体装置中，能够利用简单的制造方法实现能够得到足够耐压的构造。在该槽（10）中还设有连接槽（13），该连接槽（13）从外周槽（12）朝向更上侧（芯片的端部侧或者器件槽（11）的相反侧）延伸。在连接槽（13）的连接有外周槽（12）的一侧的相反侧的端部形成有辅助槽（14），该辅助槽（14）是椭圆形的，其短轴比连接槽（13）宽。总线触点（511）形成于辅助槽（14）的正上方，因而总线布线（35）和多晶硅层（多晶硅布线）（50）在辅助槽（14）内连接。

主权项

一种半导体装置，其具有如下结构：在半导体层的表面形成各自的内部具有栅电极的多条器件槽，该多条器件槽是沿一个方向延伸而形成于半导体层的表面的槽部，多个所述栅电极并列地与总线布线连接，其特征在于，在所述半导体层的表面形成有将所述器件槽、外周槽、连接槽以及辅助槽一体化而得到的槽，所述外周槽是沿与所述一个方向交叉的方向延伸的槽部，连接所述多条器件槽各自的一端，所述连接槽是沿所述一个方向延伸的槽部，在所述外周槽的连接有所述器件槽的一侧的相反侧与所述外周槽连接，所述辅助槽设于所述连接槽的与所述外周槽连接的一侧的相反侧的端部，在将所述器件槽、所述外周槽、所述连接槽以及所述辅助槽一体化而得到的所述槽内，将构成所述栅电极的布线材料填充到比所述半导体层的表面低的位置，在所述辅助槽中连接所述布线材料和所述总线布线。