[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有如下结构：在半导体层的表面形成各自的内部具有栅电极的多条器件槽，该多条器件槽是沿一个方向延伸而形成于半导体层的表面的槽部，多个所述栅电极并列地与总线布线连接，其特征在于，

在所述半导体层的表面形成有将所述器件槽、外周槽、连接槽以及辅助槽一体化而得到的槽，

所述外周槽是沿与所述一个方向交叉的方向延伸的槽部，连接所述多条器件槽各自的一端，

所述连接槽是沿所述一个方向延伸的槽部，在所述外周槽的连接有所述器件槽的一侧的相反侧与所述外周槽连接，

所述辅助槽设于所述连接槽的与所述外周槽连接的一侧的相反侧的端部，

在所述槽内，将构成所述栅电极的布线材料填充到比所述半导体层的表面低的位置，

在所述辅助槽中连接所述布线材料和所述总线布线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述槽中，所述辅助槽的宽度比所述连接槽的与延伸方向垂直的方向上的宽度宽。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述槽中，相邻的2条所述连接槽的间隔比相邻的2条所述器件槽的间隔宽。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述槽中，所述连接槽在与所述一个方向垂直的方向上没有连接所述器件槽和所述外周槽的部位，与所述外周槽连接。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，在相邻的2条所述辅助槽之间形成有电场缓和槽，该电场缓和槽是沿所述一个方向延伸而形成于所述半导体层的表面且内部填充有所述布线材料的槽部。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述电场缓和槽在所述半导体层中形成得比所述辅助槽和/或所述连接槽浅。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，所述电场缓和槽的与延伸方向垂直的方向上的宽度在与所述辅助槽相邻的部位局部变宽。