[发明专利]薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用有效
| 申请号： | 201310446635.X | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104517821B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李方华;宋磊;陈定平 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及刻蚀工艺，公开了一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用，所述薄场铝栅的铝刻蚀工艺包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，自动捕捉终点；在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，过刻蚀时长为1分钟。采用本发明的技术方案，可大大提高铝比氧化层的选择比，减少栅氧损失，进而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄场铝栅 刻蚀 工艺 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺，其特征在于，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，自动捕捉终点；在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，过刻蚀时长为1分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
