[发明专利]薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用

权利要求书

1.一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺，其特征在于，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：

在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；

在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。

2.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：

在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；

在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。

3.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：

在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；

在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。

4.如权利要求3所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：

在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；

在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。

5.如权利要求4所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：

在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；

在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。

6.如权利要求1～5任一项所述工艺，其特征在于，在所述过刻蚀步骤之后还包括对所述薄场铝栅进行湿法刻蚀。

7.权利要求1～6任一项所述工艺在使用应用材料8330铝刻蚀机进行薄场铝栅的铝刻蚀中的应用。