[发明专利]用于具有晶体管片段的集成电路的系统和方法有效
| 申请号: | 201310440987.4 | 申请日: | 2013-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN103681485A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | K.多曼斯基 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;H01L23/62 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;刘春元 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及用于具有晶体管片段的集成电路的系统和方法。根据实施例,一种集成电路具有由设置在阱区中的多个第一晶体管片段制成的第一晶体管、和由至少一个第二晶体管片段制成的第二晶体管。多个第一晶体管片段和至少一个第二晶体管片段的漏区耦合到公共输出节点。至少一个第二晶体管片段设置在阱区中以便施加到公共输出节点的静电放电脉冲均匀地触发寄生双极器件,寄生双极器件耦合到多个第一晶体管片段的每个漏区以及至少一个第二晶体管片段的漏区。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 具有 晶体管 片段 集成电路 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:第一晶体管,包括设置在阱区中的多个第一晶体管片段,每个第一晶体管片段包括耦合到电源节点的第一源区、耦合到公共输出节点的第一漏区、和耦合到第一输入节点的第一栅区;和第二晶体管,包括至少一个第二晶体管片段,所述至少一个第二晶体管片段包括耦合到电源节点的第二源区、耦合到公共输出节点的第二漏区、和耦合到不同于第一输入节点的第二输入节点的第二栅区,所述至少一个第二晶体管片段设置在阱区中使得施加到公共输出节点的静电放电脉冲均匀地触发寄生双极器件,所述寄生双极器件耦合到多个第一晶体管片段的每个第一漏区和所述至少一个第二晶体管片段的第二漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310440987.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:卫星定位微带天线
- 下一篇:一种半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





