[发明专利]用于具有晶体管片段的集成电路的系统和方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体电路和方法，并且更具体地涉及用于具有晶体管片段的集成电路的系统和方法。

背景技术

可变强度输出驱动器被用于各种电子器件中。例如，在一些存储器系统中，具有可调驱动强度的驱动器可以用于匹配被驱动的地址线的电容，或者用于调节驱动信号的响应时间。集成电路（IC）还可以包含可变强度输出驱动器以在它们的目标应用中提供更大的灵活性。例如，单个通用IC可以利用可变强度输出驱动器以允许其用在具有低寄生负载的电路板上或用在需要高驱动强度的系统中。通过调节具体输出驱动器的驱动强度以匹配目标应用的需要，可以优化功率消耗并且可以减少由非必要的快速边缘转变引起的RF发射。

可以使用根据期望的驱动强度被选择地激活的并联输出驱动器来实施可变强度输出驱动器。这些并联输出驱动器对于每个并联输出驱动级可以具有不同的驱动强度、不同的栅长和不同的栅宽。在许多情况中，这些可变强度输出驱动器被包括在设置于集成电路的外围附近的输入/输出（I/O）单元中。

这样的可变强度输出驱动器造成了关于对静电放电（ESD）的灵敏度的一些困难。倘若在耦合到可变强度驱动器的输出的I/O管脚处发生ESD脉冲，那么所选择的并联输出器件元件可以传导高ESD电流，而未选择的元件可以维持高阻抗，由此仅引起并联输出器件的子集来处理大ESD电流。处理这个问题已经用的一种方式是通过将ESD保护器件附加到耦合到可变强度驱动器的输出的I/O管脚。

发明内容

根据实施例，集成电路具有由设置在阱区中的多个第一晶体管片段制成的第一晶体管和由至少一个第二晶体管片段制成的第二晶体管。多个第一晶体管片段和至少一个第二晶体管片段的漏区耦合到公共输出节点。至少一个第二晶体管片段设置在阱区中以便施加到公共输出节点的静电放电脉冲均匀地触发寄生双极器件，寄生双极器件耦合到多个第一晶体管片段的每个漏区以及至少一个第二晶体管片段的漏区。

下面在附图和描述中阐述本发明的一个或多个实施例的细节。从描述和附图中以及从权利要求中本发明的其它特征、目的和优点将是显而易见的。

附图说明

为了更完全地理解本发明及其优点，现在参考后面的连同附图做出的描述，其中：

图1a图示可调强度输出驱动器的原理图；

图1b-d图示可调强度输出驱动器的现有技术实施方式；

图2a-d图示可调强度输出驱动器的实施例实施方式；

图3a-c图示可调强度输出驱动器的实施例布局图；

图4a-b图示根据进一步实施例的可调强度输出驱动器；以及

图5图示实施例方法。

在不同的图中对应的数字和符号一般指代对应的部分，除非另外指示。图被绘制得清楚地图示优选实施例的相关方面并且不一定按比例绘制。为更清楚地图示某些实施例，指示相同结构、材料、或工艺步骤的变化的字母可以跟随图号。

具体实施方式

下面详细讨论目前优选实施例的制作和使用。然而，应当理解的是，本发明提供能体现在广泛的各种特定背景中的许多可应用的发明构思。所讨论的特定的实施例仅说明制作和使用本发明的特定的方式，并且不限制本发明的范围。

将关于在特定背景中的实施例（即可调强度输出驱动器）来描述本发明。本发明的实施例不限于可调强度输出驱动器，并且还可以应用到其它类型的电路，例如易受静电放电（ESD）事件影响的接口电路。

图1a图示根据本发明实施例的可调输出驱动器100。在描绘的实施例中，驱动器100具有3个并联驱动级101、103和105。每个级具有NMOS器件和PMOS器件。例如，级101具有PMOS器件104和NMOS器件106；级103具有PMOS器件108和NMOS器件110；以及级105具有PMOS器件112和NMOS器件114。每个级的输出耦合到输出信号Dout，输出信号Dout耦合到输出焊盘176。在实施例中，依赖于应用和其特定的规格，在级101、103和105中的NMOS和PMOS器件可以具有不同的栅长和不同的栅宽。