[发明专利]用于具有晶体管片段的集成电路的系统和方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一晶体管，包括设置在阱区中的多个第一晶体管片段，每个第一晶体管片段包括耦合到电源节点的第一源区、耦合到公共输出节点的第一漏区、和耦合到第一输入节点的第一栅区；和

第二晶体管，包括至少一个第二晶体管片段，所述至少一个第二晶体管片段包括耦合到电源节点的第二源区、耦合到公共输出节点的第二漏区、和耦合到不同于第一输入节点的第二输入节点的第二栅区，所述至少一个第二晶体管片段设置在阱区中使得施加到公共输出节点的静电放电脉冲均匀地触发寄生双极器件，所述寄生双极器件耦合到多个第一晶体管片段的每个第一漏区和所述至少一个第二晶体管片段的第二漏区。

2.根据权利要求1的集成电路，其中

所述至少一个第二晶体管片段的第二漏区设置得邻近多个第一晶体管片段的一个的第一源区；或者

所述至少一个第二晶体管片段的第二源区设置得邻近多个第一晶体管片段的一个的第一漏区。

3.根据权利要求2的集成电路，进一步包括第三晶体管，第三晶体管包括设置在阱区中邻近多个第一晶体管片段的另外的第一晶体管片段的至少一个第三晶体管片段，第三晶体管片段具有耦合到不同于第一和第二输入节点的第三输入节点的第三栅区、耦合到公共输出节点的第三漏区、和耦合到电源节点的第三源区，其中

所述至少一个第三晶体管片段的第三漏区设置得邻近多个第一晶体管片段的另外的一个的第一源区；或者

所述至少一个第三晶体管片段的第三源区设置得邻近多个第一晶体管片段的另外的一个的第一漏区。

4.根据权利要求1的集成电路，进一步包括耦合到公共输出节点的输出焊盘。

5.根据权利要求1的集成电路，其中：

多个第一晶体管片段和至少一个第二晶体管片段包括NMOS晶体管；

所述阱区包括p阱；

第一漏区、第一源区、第二漏区和第二源区包括n+区；以及

电源节点包括地节点。

6.根据权利要求1的集成电路，其中：

多个第一晶体管片段和至少一个第二晶体管片段包括PMOS晶体管；

所述阱区包括n阱；以及

第一漏区、第一源区、第二漏区和第二源区包括p+区。

7.根据权利要求1的集成电路，进一步包括包围所述阱区的第一保护环，其中第一保护环具有与所述阱区相同的传导类型。

8.根据权利要求7的集成电路，其中第一保护环经由具有在大约100欧姆和大约10K欧姆之间的电阻值的电阻器耦合到电源节点。

9.根据权利要求1的集成电路，其中多个第一晶体管片段具有与至少一个第二晶体管片段不同的栅长。

10.根据权利要求1的集成电路，进一步包括至少一个另外的第二晶体管片段，其中所述第二晶体管片段稀疏地分布或随机地分布在多个第一晶体管片段之间。

11.根据权利要求1的集成电路，进一步包括第三晶体管，第三晶体管包括设置在阱区中邻近多个第一晶体管片段的一个的至少一个第三晶体管片段，第三晶体管片段具有耦合到不同于第一和第二输入节点的第三输入节点的第三栅区、耦合到公共输出节点的第三漏区、和耦合到电源节点的第三源区，其中所述多个晶体管片段的一个的第一源区设置得与第三晶体管片段的第三漏区相邻或者所述多个晶体管片段的一个的第一漏区设置得与第三源区相邻。

12.一种半导体电路，包括：

第一晶体管，包括设置在阱区中的多个第一晶体管片段，每个第一多个晶体管片段包括耦合到第一栅输入节点的第一栅极；

设置在阱区中的多个第一晶体管片段的第一晶体管片段，所述第一晶体管片段包括耦合到电源节点的第一源区和耦合到公共输出节点的第一漏区；

设置在阱区中的第二晶体管片段，所述第二晶体管片段包括耦合到电源节点的第二源区、耦合到公共输出节点的第二漏区和耦合到不同于第一栅输入节点的第二栅输入节点的第二栅极，其中第二晶体管片段的第二漏区设置得以第一距离邻近第一晶体管片段的第一源区；以及

设置在阱区中的第三晶体管片段，所述第三晶体管片段包括耦合到电源节点的第三源区、耦合到公共输出节点的第三漏区，其中第三晶体管片段的第三漏区设置得以第二距离邻近第二晶体管片段的第二源区。