[发明专利]α‑IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法

摘要

α‑IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法，属于半导体器件及其制备方法技术领域，包括呈交叉排列的一组栅极线和一组数据线、以及由所述栅极线和数据线所界定的呈阵列状排布的像素单元，所述像素单元包括一个薄膜晶体管器件和一个光电二极管器件，所述薄膜晶体管器件，包括相对形成沟道的源极和漏极，所述源极和漏极之间设置有α‑IGZO薄膜岛，所述漏极与数据线连接。通过用α‑IGZO TFT制成α‑SiH PIN传感器，应用于实时X射线医疗影像（荧光透视）系统和/或无损测试系统，进而改进系统性能。使用α‑IGZO TFT后的迁移率要比目前商用非晶硅TFT的高出10~15倍,具有较低的截止电流，其信噪比也降低了约30%。大幅提高了实时医疗X射线影像品质。

主权项

α‑IGZO薄膜传感阵列的影像传感器，其特征在于，包括呈交叉排列的一组栅极线（1）和一组数据线（2）、以及由所述栅极线（1）和数据线（2）所界定的呈阵列状排布的像素单元（3），所述像素单元（3）包括一个薄膜晶体管器件（4）和一个光电二极管器件（5），每个薄膜晶体管器件（4）连接相应的栅极线（1）和数据线（2），每个光电二极管器件（5）连接偏压线（9）和薄膜晶体管器件（4）相应的漏极（22）；所述薄膜晶体管器件（4），包括相对形成沟道的源极（21）和漏极（22），所述源极（21）和漏极（22）之间设置有α‑IGZO薄膜岛（17）和刻蚀台阶岛（16），且α‑IGZO薄膜岛（17）和刻蚀台阶岛（16）均位于栅极绝缘层（13）上方，刻蚀台阶岛（16）沉积于α‑IGZO薄膜岛（17）上方；所述漏极（22）与数据线（2）连接；上半的所述栅极线（1）连接第一栅极驱动器（10a），下半的所述栅极线（1）连接第二栅极驱动器（10b）；所述数据线（2）上侧连接第一电荷放大器（6a），下侧连接第二电荷放大器（6b）。