[发明专利]一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计

摘要

本发明提供了一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计；该带隙基准电压源电路由四个部分组成：运算放大器电路、启动和偏置电路、提高抑制比电路、带隙基准电压源电路；采用高增益运算放大器有效保证△VBE的精度和稳定性，通过多级放大减小失调；启动和偏置电路向其它电路提供启动电压和偏置，并在其它电路启动后关闭；提高抑制比电路采用电流回馈模式提高整个电路对电源变化的抑制，产生局部电源VDDL，增强电路抗干扰性能；带隙基准电压源电路采用自偏压cascade结构的电流镜，提高了输出电压的电源抑制比，与外部电路协调产生性能稳定的零温度系数的基准电压；本发明由于采用了高增益的两级运放，电压源隔离技术，RC补偿网络及自偏压cascode结构电流镜结构，使得电路具有低失调电压、高相位裕度、高增益、高抑制比，并降低了由MOS器件沟道调制效应引起的影响。

主权项

 一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计，其特征在于：运算放大器电路、启动和偏置电路、提高抑制比电路、带隙基准电压源电路；所述运算放大器电路的主要作用是保证△VBE的精确性，通过多级放大减小失调；所述启动和偏置电路用于向其它电路提供启动电压和偏置，并在其它电路启动后关闭；所述提高抑制比电路用于产生局部参考电源VDDL，降低电路对外部电源的依赖，增强电路抗干扰性能；所述带隙基准电压源电路采用自偏压  cascade结构的电流镜，降低由MOS器件沟道调制效应引起的影响，提高了输出电压的电源抑制比，与外部电路协调产生性能稳定的零温度系数的基准电压。