[发明专利]一种掩膜版及其制备方法有效
申请号: | 201310421535.1 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN103472673B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 孙志义;张然 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜版及其制备方法,该掩膜版包括本体,还包括覆盖于本体的表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层。与传统的掩膜版相比,本发明实施例提供的掩膜版,在掩膜版本体上覆盖了一层疏油材料,由于有机凝结物在该疏油材料的表面的接触角较大、粘附力较低,能有效降低有机凝结物粘附于掩膜版表面的可能性,从而减轻了在曝光过程中光刻胶中的有机溶剂等有机挥发物对掩膜版污染的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜版,包括本体,其特征在于,还包括:覆盖于所述本体的表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层,所述膜层用于减轻所述掩膜板在曝光过程中光刻胶中的有机溶剂对所述掩膜版的污染;其中,所述疏油材料为全氟十二烷基三氯硅烷;所述掩膜版还包括:位于所述本体与所述膜层之间且能使所述全氟十二烷基三氯硅烷均匀分布的交联层,且所述本体的表面是采用刻蚀技术进行刻蚀处理后的;其中所述交联层的材料为硅酮纤维,所述硅酮纤维的直径为20nm‑60nm。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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