[发明专利]一种掩膜版及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻工艺技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其制备方法。

背景技术

在现有的光刻工艺中，尤其是在接近式曝光的光刻工艺中，由于曝光过程中反应热或光激发的作用，如图1a所示，光刻胶1中残留的有机溶剂等2会挥发至掩膜版3，并在掩模版3的表面凝结和生长为有机凝结物4，传统的掩膜版3与有机凝结物4的接触角θ一般小于90度，如图1b所示，使得有机凝结物对掩膜版有较大的浸润能力，不易掉落。而粘附于掩膜版表面的有机凝结物会污染掩膜版的表面，严重影响曝光精度，且有机凝结物对掩膜版表面的污染会增加掩膜版的清洗频率，不利于长时间连续生产。

目前，现有技术中一般在曝光区安装有机凝结物处理装置，该装置可以将凝结于掩膜版表面的有机凝结物分解，然后利用该装置中的气路系统将分解的有机凝结物带出曝光腔室，从而减轻曝光过程中有机凝结物对掩膜版的污染。

虽然，现有技术可以较好地解决曝光过程中光刻胶中的有机溶剂等污染掩膜版的问题，但需要安装新的装置，结构复杂且成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种掩膜版及其制备方法，用以改善在曝光过程中掩膜版容易被有机溶剂所污染的问题。

本发明实施例提供了一种掩膜版，包括本体，还包括：

覆盖于所述本体的表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层。

本发明实施例提供的上述掩膜版，与传统的掩膜版相比，在掩膜版的本体上覆盖了一层包含疏油材料的膜层，由于有机凝结物在该膜层的表面的接触角较大、粘附力较低，能有效降低有机凝结物粘附于掩膜版表面的可能性，从而减轻了在曝光过程中光刻胶中的有机溶剂对掩膜版污染的问题。

较佳地，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，所述有机凝结物在所述膜层上的接触角大于150°。

较佳地，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，所述疏油材料位于所述膜层的表面。

较佳地，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，所述疏油材料为含氟材料。

具体地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，所述含氟材料为全氟十二烷基三氯硅烷。

较佳地，为了使全氟十二烷基三氯硅烷能够均匀的覆盖在本体上，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，还包括：位于所述本体与所述膜层之间且能使所述全氟十二烷基三氯硅烷均匀分布的交联层。

具体地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，所述交联层的材料为硅酮纤维，所述硅酮纤维的直径为20nm-60nm。

具体地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述掩膜版中，所述含氟材料为氟化二氧化硅纳米粒子，所述氟化二氧化硅纳米粒子的直径为100nm-200nm。本发明实施例提供了一种掩膜版的制备方法，包括：

制备掩膜版的本体；

在所述掩膜版的本体上形成覆盖于所述本体表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层。

本发明实施例提供的上述掩膜版的制备方法，与传统的掩膜版的制备方法相比，增加了在本体上形成包含疏油材料的膜层的步骤，由于有机凝结物在该膜层的表面的接触角较大、粘附力较低，能有效降低有机凝结物粘附于掩膜版表面的可能性，从而减轻了在曝光过程中光刻胶中的有机溶剂对掩膜版污染的问题。

具体地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述掩膜版的制备方法中，所述疏油材料为全氟十二烷基三氯硅烷；

所述在所述掩膜版的本体上形成覆盖于所述本体表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层，具体包括：

在所述本体上形成覆盖所述本体表面的交联层，所述交联层能使将要形成于所述交联层表面上的全氟十二烷基三氯硅烷均匀分布；

在所述交联层上形成覆盖所述交联层表面的包含全氟十二烷基三氯硅烷的膜层。

具体地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述掩膜版的制备方法中，所述疏油材料为氟化二氧化硅纳米粒子；

所述在掩膜版的本体上形成覆盖于所述本体表面且能降低有机凝结物粘附力的包含疏油材料的膜层，具体包括：

将所述氟化二氧化硅纳米粒子均匀地分散于有机溶液中；

将所述分散有氟化二氧化硅纳米粒子的有机溶液旋涂于所述本体的表面上。

附图说明

图1a为传统的掩膜版在曝光过程中被光刻胶中的有机溶剂污染的示意图；

图1b为有机凝结物在传统的掩膜版表面的接触角的示意图；

图2a和图2b分别为本发明实施例提供的掩膜版的结构示意图；