[发明专利]单相逆变器的主电路

摘要

本发明涉及一种单相逆变器的主电路，包括：第一场效应管Q1的漏极与第一二极管D1的阴极相连接，源极与D1的阳极连接；第二场效应管Q2的漏极与第二二极管D2的阴极连接，源极与D2的阳极相连接；第三场效应管Q3的漏极与第三二极管D3的阴极相连接，源极与D3的阳极连接；第四场效应管Q4的漏极与第四二极管D4的阴极连接，源极与D4的阳极相连接。本发明的单相逆变器的主电路，利用SiC材料的耐高温特性使得逆变器可以在高温下减少甚至不需要冷却，SiC器件的快速开通和关断特性，逆变器可以高频工作，以及SiC的宽的禁带，SiC的器件可以在高压下工作。

主权项

一种单相逆变器的主电路，其特征在于，包括：第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4，以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4；所述第一场效应管Q1的漏极与所述第一二极管D1的阴极相连接，所述第一场效应管Q1的源极与所述第一二极管D1的阳极连接；所述第二场效应管Q2的漏极与所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二场效应管Q2的源极与所述第二二极管D2的阳极相连接；所述第三场效应管Q3的漏极与所述第三二极管D3的阴极相连接，所述第三场效应管Q3的源极与所述第三二极管D3的阳极连接；所述第四场效应管Q4的漏极与所述第四二极管D4的阴极连接，所述第四场效应管Q4的源极与所述第四二极管D4的阳极相连接；所述第一场效应管Q1的源极与所述第三场效应管Q3的漏极相连接；所述第二场效应管Q2的源极与所述第四场效应管Q4的漏极相连接。