[发明专利]单相逆变器的主电路在审
| 申请号： | 201310404723.3 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103475244A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;于海明;张艺蒙;宋庆文;闫宏丽 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 李楠;戴燕 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单相 逆变器 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种单相逆变器的主电路，其特征在于，包括：
第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4，以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4；
所述第一场效应管Q1的漏极与所述第一二极管D1的阴极相连接，所述第一场效应管Q1的源极与所述第一二极管D1的阳极连接；所述第二场效应管Q2的漏极与所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二场效应管Q2的源极与所述第二二极管D2的阳极相连接；所述第三场效应管Q3的漏极与所述第三二极管D3的阴极相连接，所述第三场效应管Q3的源极与所述第三二极管D3的阳极连接；所述第四场效应管Q4的漏极与所述第四二极管D4的阴极连接，所述第四场效应管Q4的源极与所述第四二极管D4的阳极相连接；
所述第一场效应管Q1的源极与所述第三场效应管Q3的漏极相连接；所述第二场效应管Q2的源极与所述第四场效应管Q4的漏极相连接。
2.根据权利要求1所述的单相逆变器的主电路，其特征在于，所述第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4为碳化硅SiC金属-氧化层-半导体-场效晶体管。
3.根据权利要求1所述的单相逆变器的主电路，其特征在于，所述第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4为SiC续流二极管。
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