[发明专利]半导体结构与具有该半导体结构的半导体组件有效
| 申请号： | 201310403656.3 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN104425568B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 刘光明,陆锦华 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构与具有该半导体结构的半导体组件。该半导体结构包含一基板；一第一井区，具有第一导电型，设置于该基板上；以及多个缓和区，设置于该第一井区中，从横向上靠近该第一井区的一边界，且该缓和区由剖视图视之，从纵向上贯通该第一井区；其中，该第一井区与一第二井区在该横向上，相邻于该边界，该第二井区具有与该第一导电型相反的第二导电型；其中，该缓和区的导电型为第一导电型或相反导电型态的第二导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 具有 组件 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：一基板；一第一井区，具有第一导电型，设置于该基板上；以及多个缓和区，设置于该第一井区中，在一平行该基板上表面的横向上靠近该第一井区的一边界但与该边界有一距离，且该缓和区由剖视图视之，在一垂直该基板上表面的纵向上贯通该第一井区；其中，该第一井区与一第二井区在该横向上，相邻于该边界，该第二井区具有与该第一导电型相反的第二导电型；其中，该缓和区的导电型为第一导电型，其杂质浓度低于该第一井区。
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