[发明专利]半导体结构与具有该半导体结构的半导体组件有效
| 申请号： | 201310403656.3 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN104425568B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 刘光明,陆锦华 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 具有 组件 | ||
1.一种半导体结构，包含：
一基板；
一第一井区，具有第一导电型，设置于该基板上；以及
多个缓和区，设置于该第一井区中，在一平行该基板上表面的横向上靠近该第一井区的一边界但与该边界有一距离，且该缓和区由剖视图视之，在一垂直该基板上表面的纵向上贯通该第一井区；
其中，该第一井区与一第二井区在该横向上，相邻于该边界，该第二井区具有与该第一导电型相反的第二导电型；
其中，该缓和区的导电型为第一导电型，其杂质浓度低于该第一井区。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一井区与该第二井区形成于一磊晶层中。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该多个缓和区中，任一缓和区不接触该边界，且该多个缓和区间彼此不相接触。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，又包含一埋层，具有第二导电型，形成于该第一井区与该基板之间，且将该第一井区与该基板隔开。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，又包含至少一埋层缓和区，设置于该横向上该边界附近的该埋层中，且由剖视图视之，该埋层缓和区在该纵向上贯通该埋层。
6.一种半导体组件，包含：
一半导体结构，包括：
一基板；
一第一井区，具有第一导电型，设置于该基板上；以及
多个缓和区，设置于该第一井区中，在一平行该基板上表面的横向上靠近该第一井区的一边界但与该边界有一距离，且该缓和区由剖视图视之，在一垂直该基板上表面的纵向上贯通该第一井区；
其中，该第一井区与一第二井区在该横向上，相邻于该边界，该第二井区具有与该第一导电型相反的第二导电型；
其中，该缓和区的导电型为第一导电型，其杂质浓度低于该第一井区；
一栅极，形成于该第一井区上；以及
一源极与一漏极，分别于该横向上，形成于该栅极两侧的该第一井区中。
7.根据权利要求6所述的半导体组件，其中该第一井区与该第二井区形成于一磊晶层中。
8.根据权利要求6所述的半导体组件，其中该缓和区为多个，且任一缓和区不接触该边界，且该多个缓和区间彼此不相接触。
9.根据权利要求6所述的半导体组件，又包含一埋层，具有第二导电型，形成于该第一井区与该基板之间，且将该第一井区与该基板隔开。
10.根据权利要求9所述的半导体组件，又包含至少一埋层缓和区，设置于该横向上该边界附近的该埋层中，且由剖视图视之，该埋层缓和区在该纵向上贯通该埋层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立锜科技股份有限公司，未经立锜科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310403656.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
