[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310369138.4 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104425479A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;叶辅湘;张超雄;陈滨全;陈隆欣 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管。所述基板包括上表面以及与该上表面相对的下表面。所述基板的上表面朝下表面开设一凹槽。所述发光二极管芯片设置于基板的上表面上，所述齐纳二极管设置于所述凹槽中。所述凹槽中还形成有一覆盖齐纳二极管的反射层。由于齐纳二极管设置在基板的凹槽中，并且其上覆盖一层反射层，所以可以大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片所发出的光线的吸收，进而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，所述基板包括上表面以及与该上表面相对的下表面，其特征在于：所述基板的上表面朝下表面开设一凹槽，所述发光二极管芯片设置于基板的上表面上，所述齐纳二极管设置于所述凹槽中，所述凹槽中还形成有一覆盖齐纳二极管的反射层。
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