[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。

在一般的发光二极管封装结构中，通常会设置一齐纳二极管（Zener diode），用于防止突波或静电造成元件电路受损。然而，传统的发光二极管封装结构中，齐纳二极管与发光二极管芯片通常是被设置在同一平面上，这样的设置会造成发光二极管芯片发出的光线容易被齐纳二极管吸收，从而减少了发光二极管封装结构的出光亮度。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光亮度较高的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管。所述基板包括上表面以及与该上表面相对的下表面。所述基板的上表面朝下表面开设一凹槽。所述发光二极管芯片设置于基板的上表面上，所述齐纳二极管设置于所述凹槽中。所述凹槽中还形成有一覆盖齐纳二极管的反射层。

一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：

提供一基板，所述基板包括一上表面以及与该上表面相对的下表面，所述基板上表面朝下表面开设形成一凹槽；

将一发光二极管芯片设置于所述基板的上表面上；

将一齐纳二极管设置于所述基板的凹槽中；

在凹槽中形成覆盖齐纳二极管的反射层。

上述的发光二极管封装结构及其制造方法中，齐纳二极管设置在基板的凹槽中，并且其上覆盖一层反射层，因此可以大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片所发出的光线的吸收，从而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。

附图说明

图1为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。

图2为图1中的发光二极管封装结构的侧视图。

图3至图8为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的制造方法的各步骤示意图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构100基板10发光二极管芯片20齐纳二极管30封装层40反射层50第一电极11第二电极12绝缘层13上表面10a下表面10b凹槽10c

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。