[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，所述基板包括上表面以及与该上表面相对的下表面，其特征在于：所述基板的上表面朝下表面开设一凹槽，所述发光二极管芯片设置于基板的上表面上，所述齐纳二极管设置于所述凹槽中，所述凹槽中还形成有一覆盖齐纳二极管的反射层。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板由第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层构成。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板为长方形的板状结构，所述第二电极呈一矩形的块状结构，其位于所述基板的角落处，所述第一电极呈一“L”形的块状结构，其与第二电极相互间隔并部分围绕所述第二电极，所述绝缘层充填于第一电极与第二电极之间的间隙内，绝缘层呈一“L”形。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述凹槽开设形成在所述基板的一端，并贯通所述基板的侧面，所述第二电极的一部分、绝缘层的一部分以及第一电极的一部分由该凹槽的底面露出。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于所述基板上表面的第一电极上，并且通过导线分别电性连接上表面上的第一电极和第二电极。

6.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述齐纳二极管设置于所述凹槽中的第二电极上，并分别电性连接凹槽中的第一电极和第二电极。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层的顶面与所述基板的上表面齐平。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层为可固性不透明胶体，其内包含有反射颗粒。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括一封装层，该封装层形成在所述基板的上表面上，并覆盖发光二极管芯片以及反射层。

10.一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：

提供一基板，所述基板包括一上表面以及与该上表面相对的下表面，所述基板上表面朝下表面开设形成一凹槽；

将一发光二极管芯片设置于所述基板的上表面上；

将一齐纳二极管设置于所述基板的凹槽中；

在凹槽中形成覆盖齐纳二极管的反射层。