[发明专利]一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用无效
| 申请号： | 201310362915.2 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103426874A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;谢晓东 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/11 | 分类号： | H01L25/11 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用，属于半导体器件领域，包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片，上述塑封体内水平排列封装有若干组上框架和下框架，焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片均处于同一水平面上。上述超薄高压瞬态电压抑制二极管将瞬态电压抑制二极管芯片采用水平排列的方式进行封装，可以大幅度降低高压瞬态电压抑制二极管的高度，而且多颗瞬态电压抑制二极管芯片互不相连，独立封装，工艺简单，不会因一颗芯片失效而造成整个二极管报废。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 高压 瞬态 电压 抑制 二极管 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种超薄高压瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片，上述上框架和下框架成对组合封装，一部分外露在塑封体外，形成引线端子，另一部分封装在塑封体内，用于焊接瞬态电压抑制二极管芯片；上述塑封体内水平排列封装有若干组上框架和下框架，焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片均处于同一水平面上。
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