[发明专利]一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用，属于半导体器件领域。

背景技术

LED驱动电路中往往用压敏电阻来抑制输入电源中的瞬态高压脉冲，对于目前大量使用的陶瓷铝基板而言，存在插件组装难的问题，插件类器件逐渐被贴片器件所取代，由于贴片类压敏电阻价格相对较高，越来越多的应用工程师选用高压贴片瞬态电压抑制二极管来替换压敏电阻。

目前高压瞬态电压抑制二极管，普遍采用多芯片叠加串联方式封装，如图1所示，这种封装形式适用于轴向封装或安装高度相对较高的SMA、SMB、SMC封装。对于应用在光电一体化LED灯上，目前的封装形式主要存在安装高度太高，影响光的发散等问题。

有鉴于此，本发明人对此进行研究，专门开发出一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的是提供一种厚度薄、工艺简单、可靠性高的超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用。

为了实现上述目的，本发明的解决方案是：

一种超薄高压瞬态电压抑制二极管，包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片，上述上框架和下框架成对组合封装，一部分外露在塑封体外，形成引线端子，另一部分封装在塑封体内，用于焊接瞬态电压抑制二极管芯片；上述塑封体内水平排列封装有若干组上框架和下框架，焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片均处于同一水平面上。

作为优选，上述塑封体内水平排列封装有2-4组上框架和下框架。

上述瞬态电压抑制二极管芯片为双向瞬态电压抑制二极管芯片或单向瞬态电压抑制二极管芯片中的其中一种。其中，当上述二极管芯片同为单向瞬态电压抑制二极管芯片时，相邻两颗二极管芯片的极性为相反设置。

上述超薄高压瞬态电压抑制二极管的应用：

当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用双向瞬态电压抑制二极管芯片时，使用时将所有上框架的引线端子短路，下框架的引线端子作为工作端子；或将下框架的引线端子短路，上框架的引线端子作为工作端子。

当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用两颗单向瞬态电压抑制二极管芯片时，使用时将两组上框架的引线端子短路，下框架引线端子为工作端子；或者将两组下框架的引线端子短路，上框架引线端子为工作端子。

当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用三颗单向瞬态电压抑制二极管芯片时，上框架其中两个相邻的引线端子短路，剩下一个作为工作端子，下框架其中两个相邻的引线端子短路，剩下一个作为工作端子，其中两个工作端子分别位于高压瞬态电压抑制二极管首尾部。 

当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用四颗单向瞬态电压抑制二极管芯片时，上框架两个相邻的引线端子间隔短路，下框架中间两个相邻的引线端子短路，剩下首尾两个引线端子作为工作端子；或者，下框架两个相邻的引线端子间隔短路，上框架中间两个相邻的引线端子短路，剩下首尾两个引线端子作为工作端子。

与现有技术相比，具有如下优点：（一）将瞬态电压抑制二极管芯片采用水平排列的方式进行封装，而不是采用叠加串联，可以大幅度降低高压瞬态电压抑制二极管的高度，进而不会阻挡LED灯的光线发散，特别适用于光电一体LED照明领域抑制高压脉冲；（二）多颗瞬态电压抑制二极管芯片互不相连，独立封装，工艺简单；（三）多个瞬态电压抑制二极管芯片隔离集成封装，不会因其中一颗芯片失效而造成整个二极管报废；

以下结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细描述。

附图说明

图1为现有技术的高压瞬态电压抑制二极管的封装结构图； 

图2为实施例1的超薄高压瞬态电压抑制二极管内部结构俯视图；

图3为图2的A-A向剖视图；

图4为实施例1采用双向瞬态电压抑制二极管芯片的电路图；

图5为实施例2采用单向瞬态电压抑制二极管芯片的电路图；

图6为实施例3超薄高压瞬态电压抑制二极管内部结构俯视图；

图7为实施例3采用双向瞬态电压抑制二极管芯片的电路图；

图8为实施例4采用单向瞬态电压抑制二极管芯片的电路图；

图9为实施例5超薄高压瞬态电压抑制二极管内部结构俯视图； 

图10为实施例5采用双向瞬态电压抑制二极管芯片的电路图；

图11为实施例6采用单向瞬态电压抑制二极管芯片的电路图。

标号说明：

现有技术：塑封体1’；引线端子21’、22’；芯片41’、42’；