[发明专利]一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用

权利要求书

1.一种超薄高压瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片，上述上框架和下框架成对组合封装，一部分外露在塑封体外，形成引线端子，另一部分封装在塑封体内，用于焊接瞬态电压抑制二极管芯片；上述塑封体内水平排列封装有若干组上框架和下框架，焊接在上框架和下框架上的瞬态电压抑制二极管芯片均处于同一水平面上。

2.如权利要求1所述的一种超薄高压瞬态电压抑制二极管，其特征在于：上述塑封体内水平排列封装有2-4组上框架和下框架。

3.如权利要求1所述的一种超薄高压瞬态电压抑制二极管，其特征在于：上述瞬态电压抑制二极管芯片为双向瞬态电压抑制二极管芯片或单向瞬态电压抑制二极管芯片中的其中一种。

4.如权利要求3所述的一种超薄高压瞬态电压抑制二极管，其特征在于：上述瞬态电压抑制二极管芯片同为单向瞬态电压抑制二极管芯片时，相邻两颗二极管芯片的极性为相反设置。

5.一种超薄高压瞬态电压抑制二极管的应用：当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用双向瞬态电压抑制二极管芯片时，使用时将所有上框架的引线端子短路，下框架的引线端子作为工作端子；或将下框架的引线端子短路，上框架的引线端子作为工作端子。

6.一种超薄高压瞬态电压抑制二极管的应用：当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用两颗单向瞬态电压抑制二极管芯片时，使用时将两组上框架的引线端子短路，下框架引线端子为工作端子，或者将两组下框架的引线端子短路，上框架引线端子为工作端子。

7.一种超薄高压瞬态电压抑制二极管的应用：当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用三颗单向瞬态电压抑制二极管芯片时，上框架其中两个相邻的引线端子短路，剩下一个作为工作端子，下框架其中两个相邻的引线端子短路，剩下一个作为工作端子，其中两个工作端子分别位于高压瞬态电压抑制二极管首尾部。

8.一种超薄高压瞬态电压抑制二极管的应用：当所述超薄高压瞬态电压抑制二极管采用四颗单向瞬态电压抑制二极管芯片时，上框架两个相邻的引线端子间隔短路，下框架中间两个相邻的引线端子短路，剩下首尾两个引线端子作为工作端子；或者，下框架两个相邻的引线端子间隔短路，上框架中间两个相邻的引线端子短路，剩下首尾两个引线端子作为工作端子。