[发明专利]磁阻存储设备的架构无效
| 申请号： | 201310357364.0 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594107A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李在永;姜奉辰;黃正花;廉基雄;金永官;孙东贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种包括列译码器、多个子单元块以及位线选择电路的半导体存储设备。列译码器被配置为对列地址进行译码，并且驱动列选择信号。每一个子单元块包括多个位线、多个字线、以及被连接到多个位线和多个字线的多个存储单元。位线选择器电路包括多个位线连接控制器，并且被配置为响应于列选择信号来选择一个或者多个位线。分别响应于列选择信号的第一和第二列选择信号，每一个位线连接控制器将相应的第一位线电耦接到对应的第一和第二局部输入/输出（I/O）线。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储 设备 架构 | ||
【主权项】：
一种半导体存储设备，包括:行译码器，被配置为译码行地址并且驱动全局字线上的全局字线驱动信号；列译码器，被配置为译码列地址并且驱动列选择线上的列选择信号；多个子单元块，每一个子单元块包括多个位线、多个字线、以及连接到多个位线和多个字线的多个存储单元；多个位线读出放大器区域，每一个位线读出放大器区域包括位线读出放大器并且沿第一方向被布置在两个子单元块之间，其中，位线读出放大器中的每一个被配置为读出和放大对应位线的数据；多个子字线驱动器，每一个子字线驱动器沿与第一方向垂直的第二方向被布置两个子单元块之间，并且被配置为响应全局字线驱动信号来驱动对应字线；以及位线选择电路，包括多个位线连接控制器，并且被配置为响应于列选择信号来选择一个或者多个位线，其中，分别响应于列选择信号中的第一列选择信号和第二列选择信号，所述位线连接控制器中的每一个将各个第一位线电耦接到对应的第一局部输入/输出（I/O）线和第二局部输入/输出（I/O）线。
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