[发明专利]磁阻存储设备的架构

权利要求书

1.一种半导体存储设备，包括:

行译码器，被配置为译码行地址并且驱动全局字线上的全局字线驱动信号；

列译码器，被配置为译码列地址并且驱动列选择线上的列选择信号；

多个子单元块，每一个子单元块包括多个位线、多个字线、以及连接到多个位线和多个字线的多个存储单元；

多个位线读出放大器区域，每一个位线读出放大器区域包括位线读出放大器并且沿第一方向被布置在两个子单元块之间，其中，位线读出放大器中的每一个被配置为读出和放大对应位线的数据；

多个子字线驱动器，每一个子字线驱动器沿与第一方向垂直的第二方向被布置两个子单元块之间，并且被配置为响应全局字线驱动信号来驱动对应字线；以及

位线选择电路，包括多个位线连接控制器，并且被配置为响应于列选择信号来选择一个或者多个位线，

其中，分别响应于列选择信号中的第一列选择信号和第二列选择信号，所述位线连接控制器中的每一个将各个第一位线电耦接到对应的第一局部输入/输出（I/O）线和第二局部输入/输出（I/O）线。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，子字线驱动器中的第一子字线驱动器被布置在第一子单元块的第一侧处，并且被配置为驱动第一子单元块的奇数字线，以及

其中，子字线驱动器中的第二子字线驱动器被布置在第一子单元块的与所述第一侧相对的第二侧处，并且被配置为驱动第一子单元块的偶数字线。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，全局字线中的第一全局字线被布置在第一子单元块之上，沿第二方向延伸，并且连接到第一子字线驱动器和第二子字线驱动器。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，第二子字线驱动器被配置为驱动M个字线，M等于2^x，并且x是等于或者大于0的整数。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，连接到第一组位线的第一组位线连接控制器被布置在子单元块中的第一子单元块的第一侧处，

其中，连接到第二组位线的第二组位线连接控制器被布置在第一子单元块的与第一侧相对的第二侧处，以及

其中，第一组位线是奇数位线，并且第二组位线是偶数位线。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，第一组位线连接控制器包括多个第一组列选择线晶体管，每一个第一组列选择线晶体管分别响应于第一列选择信号和第二列选择信号而将第一组位线的各个位线电耦接到对应的第一局部输入/输出（I/O）线和第二局部输入/输出（I/O）线，

其中，第二组位线连接控制器包括多个第二组列选择线晶体管，每一个第二组列选择线晶体管分别响应于第一列选择信号和第二列选择信号而将第二组位线的各个位线电耦接到对应的第一局部输入/输出（I/O）线和第二局部输入/输出（I/O）线，

其中，第一组列选择线晶体管和第二组列选择线晶体管中的每一个被布置在2^M条线中且沿第二方向，并且

其中，M是等于或者大于0的整数。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，第一组列选择线晶体管中的每一个包括：

第一晶体管，具有第一导电型，所述第一晶体管响应于第一列选择信号将第一组位线中的第一位线电耦接到第一局部输入/输出（I/O）线；以及

第二晶体管，具有第一导电型，所述第二晶体管响应于第二列选择信号将第一位线电耦接到第二局部输入/输出（I/O）线。

8.根据权利要求6所述的设备，其中，第一组列选择线晶体管中的每一个包括：

第一晶体管，具有第一导电型，所述第一晶体管响应于第一列选择信号而将第一组位线中的第一位线电耦接到第一局部输入/输出（I/O）线；

第二晶体管，具有与第一导电型不同的第二导电型，所述第二晶体管响应于第一列选择信号的互补信号而将第一位线电耦接到第一局部输入/输出（I/O）线；

第三晶体管，具有第一导电型，所述第三晶体管响应于第二列选择信号而将第一位线电耦接到第二局部输入/输出（I/O）线；以及

第四晶体管，具有第二导电型，所述第四晶体管响应于第二列选择信号的互补信号而将第一位线电耦接到第二局部输入/输出（I/O）线。