[发明专利]用于监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的装置有效
| 申请号： | 201310354126.4 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104377190B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;王焜;石金成;高振杰;文燕 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的装置，包括衬底；所述衬底上设置有有源区，所述有源区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；在所述衬底上，围绕所述有源区外围设置有场区，所述场区延伸至所述有源区的边缘区域的厚度缓慢减薄；在所述场区上，围绕所述有源区的外围设置有截面呈环形的多晶硅层，所述多晶硅层的内环与对应的所述有源区的边缘的间距小于或等于所述多晶硅层光刻所允许的最大的对准偏差值，本发明实施例有效解决了现有技术中，监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的效率低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监控 集成电路 工艺 多晶 光刻 对准 偏差 装置 | ||
【主权项】：
一种用于监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的装置，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上设置有有源区，所述有源区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；在所述衬底上，围绕所述有源区外围设置有场区；所述场区延伸至所述有源区的边缘区域的厚度缓慢减薄；在所述场区上，围绕所述有源区的外围设置有截面呈环形的多晶硅层，所述多晶硅层的内环与对应的所述有源区的边缘区域的间距小于或等于所述多晶硅层光刻所允许的最大的对准偏差值。
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