[发明专利]用于监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的装置

权利要求书

1.一种用于监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的装置，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上设置有有源区，所述有源区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；

在所述衬底上，围绕所述有源区外围设置有场区；所述场区延伸至所述有源区的边缘区域的厚度缓慢减薄；

在所述场区上，围绕所述有源区的外围设置有截面呈环形的多晶硅层，所述多晶硅层的内环与对应的所述有源区的边缘区域的间距小于或等于所述多晶硅层光刻所允许的最大的对准偏差值。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多晶硅层以所述有源区为中心对称设置。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述有源区的截面呈圆形。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述场区的截面呈圆环形；所述多晶硅层的截面呈圆环形。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述有源区上设有氧化层。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述氧化层的截面呈圆形。