[发明专利]置于集成电路产品中装置层级的电容器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310341508.3 申请日: 2013-08-07
公开(公告)号: CN103579178A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: K·Y·杨;P·R·贾斯汀森 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L27/06;H01L21/02;H01L21/822
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 发明涉及一种置于集成电路产品中装置层级的电容器及其制作方法,其中,本文所揭露的一种描述性集成电路产品包括置于半导体衬底上方的第一金属金属化层、置于衬底表面与第一金属金属化层底部之间的电容器,其中,电容器包括以相对于衬底表面实质垂直的方向定向的多个导电板,以及置于多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域。
搜索关键词: 置于 集成电路 产品 装置 层级 电容器 及其 制作方法
【主权项】:
一种集成电路产品,其包含:置于半导体衬底上方的第一金属金属化层;置于该衬底的表面和该第一金属金属化层的底部所界定的垂直空间中的电容器,该电容器包含以相对于该衬底的该表面实质垂直的方向定向的多个导电板;以及置于该多个导电板之间的绝缘材料的至少一区域。
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